дифференциальное сопротивление стабилитрона rст диф , которое характеризует качество стабилитрона, т.е. его способность стабилизировать напряжение при изменении проходящего через него тока. Качество стабилитрона тем выше, чем меньше его дифференциальное сопротивление. Дифференциальное сопротивление определяется отношением приращения напряжения на стабилитроне к вызвавшему его малому приращению тока
;
αст - температурный коэффициент напряжения ТНК стабилизации, равный отношению относительного изменения напряжения к абсолютному изменению температуры окружающей среды, выраженной в процентах
.
В современных стабилитронах αст имеет значение от – 0,1 до 0,2%/0С.
Сопоставление параметров различных типов стабилитронов приведены в Приложении 3.
Импульсные диоды предназначены для применения в быстродействующих импульсных схемах в качестве коммутирующих (ключевых) элементов с очень малым (≤ 1 мкс) временем переключения (рис.2.7а).
Для импульсных диодов характерным является режим, при котором после воздействия скачком (или при быстрых изменениях) прямого напряжения к диоду прикладывается обратное напряжение (рис. 2.7б).
Схема включения импульсного диода и диаграммы тока и напряжения в импульсном диоде
Рисунок 2.7
При подаче обратного напряжения диод запирается не сразу, а в течении некоторого времени проходит импульс обратного тока (рис.2.7в), значительно превосходящий по величине обратный ток в установившемся режиме I0. Причиной возникновения импульса обратного тока является рассасывание накопившихся в базе за время прохождения прямого тока неосновных носителей. В интервале времени tр происходит экстракция неосновных носителей из базы в эмиттерную область. В этом интервале р-n-переход удерживается под прямым смещением, в следствие чего, сопротивление перехода остается небольшим. К концу процесса рассасывания концентрация неосновных носителей в базе снижается до равновесного состояния, соответствующего напряжению на р-n-переходе U=0.Переход получает обратное напряжение и его сопротивление становится большим. Обратный ток убывает и достигает своей установившейся величины I0.
Время tc, в течении которого происходит спад импульса обратного тока до I0, называется временем восстановления.
Вследствие постепенного рассасывания заряда неосновных носителей обратное сопротивление диода Rобр сначала оказывается срвнительно небольшим, а затем постепенно возрастает и доходит до своего нормального установившегося значения.
Время tвос.обр от момента возникновения обратного тока до момента, когда этот ток уменьшится до величин I0. называется временем восстановления обратного сопротивления.
Второй причиной возникновения импульса обратного тока является разряд диффузионной емкости диода Сд под действием обратного напряжения. Зарядный ток емкости складывается с током рассасывания заряда базы и в результате получается суммарный импульс обратного тока. Импульс зарядного тока тем больше, чем больше емкость диода.
Основными параметрами импульсных диодов являются:
постоянное прямое напряжение Uпр при определенном постоянном прямом токе Iпр;
постоянный обратный ток Iобр, обусловленный постоянным обратным напряжением Uобр;
допустимое постоянное (импульсное) обратное напряжение Uобр.и;
допустимый импульс прямого тока Iпр.и;
время восстановления обратного сопротивления tвос.обр;
емкость диода Сд при действии обратного напряжения.
Сопоставление параметров различных типов импульсных диодов приведены в Приложении 4.
Диод Шоттки – полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на нелинейности вольт-амперной характеристики, образующейся при прохождении основными носителями заряда контакта металл – полупроводник.
В переходах металл-полупроводник возникают явления, связанные с разницей в работе выхода электронов из металла и полупроводника. Работой выхода элктрона из вещества называется та минимальная кинетическая энергия электрона , под действием которой электрон может выйти из вещества (и невернутся в него).
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.