Электротехника \ Электроника

Физические основы работы полупроводниковых приборов, страница 20

Добавочные носители заряда в триодном тиристоре, представленном на рис.4.1, вводятся в слой р2 вспомогательной цепью, питаемой от независимого источника напряжения. В какой мере снижается пробивное напряжение при росте тока управления, показывает семейство кривых на рис.4.2.

Важным параметром триодного тиристора является отпирающий ток управления Iу.вкл – ток управляющего электрода, который обеспечивает переключение тиристора в открытое состояние.

Из рис.4.2 видно, что при подаче на тиристор обратного напряжения в нем возникает небольшой ток, так как в этом случае закрыты переходы П1 и П3. Во избежании пробоя тиристора в обратном направлении (который выводит тиристор из строя из-за теплового побоя перехода) необходимо, чтобы обратное напряжение было меньше Uобр.макс. Сопоставление параметров тиристоров приведены в Приложннии 12.

В Приложения приведены следующие параметры:

Iос.ср – средний анодный ток открытого состояния;

Uзс – максимально допустимое постоянное анодное напряжение в закрытом состоянии;

Uобр  -  максимально  допустимое обратное напряжение;

Pос. ср – средняя рассеиваемая мощность в открытом состоянии;

duзс/ dt – максимально напряжения в закрытом состоянии;

diос/dt – максимально допустимая скорость нарастания тока в открытом состоянии;

Uос – постоянное напряжение на тиристоре в открытом состоянии;

Iу. от. – отпирающий постоянный ток управления;

Uу.от – отпирающее напряжение управления;

tвкл – время включения;

tвыкл – время выключения;

Iзс – постоянный анодный ток в закрытом состоянии.

Приложение1

Основные параметры некоторых полупроводников

Параметр

Полупроводники

Германий

Кремний

GaAs

Заряд ядра

32

14

-

Атомный вес

72,6

28,1

-

Диэлектрическая проницаемость ε

16

12

11

Температура плавления,  0 С

940

1420

1280

При  Т=300К

Ширина запрещенной зоны, ΔWз, эВ

0,72

1,12

1,35

Подвижность электронов           μn, см/в·сек

3800

1300

4500

Подвижность дырок                    μр, см/в·сек

1800

500

450

Собственное удельное сопротивление ρi, ом·см

50

2·105

5·105

Собственная концентрация         ni, см -3

2,5·1013

2·1010

109

Коэффициент диффузии электронов Dn, см2/сек

95

33

120

Коэффициент диффузии дырок  Dp, см2/сек

45

12

12

Приложение 2

Выпрямительные диоды.

Тип прибора

Предельные значения параметров

Электрические параметры

Iпр.ср, А

Uобр, В

fмакс, кГц

Тмакс,0С

Uпр, В

fвос.обр,мкс

Iобр,мА

1

2

3

4

5

6

7

8

Д12А Д105

0,02  0,03

75

150000

70       125

1

0,5

0,25    0,005

Д9Б  Д223Б КД103А 2Д120А

0,04    0,05    0,1      0,3

10       150     50      100

40000 20000                20000  100  

70      100     100      125

1

-              -              4             0,3

0,25      0,001    0,0004   0.002

2Д204А КД209Б КД204Б 2Д236Б КД226А 2Д230И КД202С

0,4        0,5        0,6        1           1,7        3            3,5        

400       600      200      800       100       1000     600      

50          -             50          100        -             20          5           

125       95         95         155       85         125       130       

1,4        1           1,4        1,5        1,4        1,3        0,9       

1,5           -               1.5           0,15         0,25          1              -              

0,15      0,1         0,1         0,005     0,05       0,045     0.8        

1

2

3

4

5

6

7

8

КД227Ж 2Д213Г 

5           10

1800      100

-            100

85         125

1,6        1,2

-               0,17

0.8         0.2

КД2995А

20

50

200

190

1.35

6,3

1.5

2Д2990А

20

600

200

125

1,4

0.15

11

Д112-251

25

40

1.5

190

1.35

6.7

4

Д132-50(х)-14

50

840

1,5

190

1,35

9,3

8

Д161-250-18

250

1275

2

190

1,35

22

40

2Д171-400-3

400

225

2

140

1,5

25

50

Д133-400-40

400

3000

2

150

2,1

40

50

Д143-630-40

630

3000

1,5

150

2.1

40

50

ДЧ143-1000-18

1000

1350

2,5

175

2,3

5

40

2Д253-1600-4

1600

300

1,5

190

1,5

40

100
Скачать файл