С увеличением светового потока (Ф4>Ф3>Ф2>Ф1) фототок растет линейно, поэтому вольт-амперные характеристики при одинаковых приращениях потока ΔФ эквидистантны. При прямом напряжении электрическое поле в переходе по направлению не изменяется, поэтому направление фототока остается прежним, но противоположным темновому току.
Световые (энергетические) характеристики ФД представляют зависимость фототока от освещенности Iф= φ(Ф) при Uобр=const (рис.2.12в). Они линейны в широком интервале изменения светового потока. Это объясняется тем, что толщина базы диода значительно меньше диффузионной длины неосновных носителей. Поэтому все неосновные носители, возникшие в базе в результате световой генерации, достигают перехода и принимают участие в образовании фототока. Потери носителей на рекомбинацию невелики и независят от значения потока.
Увеличение обратного напряжения (Uобр2> Uобр1) вызывает расширение перехода и соответственно уменьшение ширины базы. При этом меньшая часть неосновных носителей заряда успевает рекомбинировать в толще базы, поэтому фототок в ФД увеличивается.
Основными параметрами фотодиодов являются:
1. λмакс –длина волны, соответствующая максимальной чувствительности;
2. Uр – рабочее напряжение;
3. Iт – темновой ток ;
4. SI = (I – Iт)/Ф - интегральная токовая чувствительность,
где I – общий фототок;
5. τ – инерционность.
Эти параметры приведены в Приложении 8.
3. ТРАНЗИСТОРЫ
3.1 Биполярные транзисторы
Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими электронно-дырочными переходами и тремя или более выводами.
В биполярных транзисторах ток определяется движением носителей зарядов двух типов: электронов и дырок (отсюда их название – биполярные). Возможны две трехслойные структуры с различным чередованием участков с электронной и дырочной электропроводностью: дырочная – электронная – дырочная и электронная – дырочная – электронная. В соответствии с чередованием участков с различной электропроводностью биполярные транзисторы подразделяются на два типа: р-n-р и n-р-n (рис.3.1).
Биполярные транзисторы подразделяются на группы по диапазонам используемых частот и мощностей. Классификация и условные обозначения биполярных транзисторов приведены на рис. 3.2.
У биполярных транзисторов среднюю область называют базой (Б), наружную область, являющейся источником носителей заряда (электронов или дырок), которая главным образом и создает ток транзистора, - эмиттером (Э), другая наружная область – коллектором (К). Он принимает носители заряда, поступающие от эмиттера. Электронно – дырочный переход, расположенный между эмиттером и базой, называется эмиттерным переходом, а переход, примыкающий к коллектору, - коллекторным. От базы, эмиттера и коллектора сделаны металлические выводы.
Система обозначений. Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919 – 81. В основу системы обозначений положен буквенно – цифровой код.
Первый элемент (цифра или буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор, второй элемент (буква) определяет подкласс (или группу) транзисторов, третий элемент (цифра) – основные функциональные возможности транзистора, четвертый элемент (число) обозначает порядковый номер разработки технологического типа транзистора, пятый элемент (буква) условно определяет классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы:
Г или 1 – германий или его соединения;
К или 2 – кремний или его соединения;
А или 3 – арсенид галлия;
И или 4 – соединения индия.
Для обозначения подклассов используется одна из букв: Т - биполярные и П – полевые транзисторы.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.