Физические основы работы полупроводниковых приборов, страница 7

В плоскостных диодах р-n-переходобразуется двумя полупроводниками с различными типами электропроводности, причем площадь р-n- перехода у различных типов лежит в пределах от сотых долей мк2 (микроплоскостные диоды) до нескольких см2 (силовые диоды).

Плоскостные диоды изготовляются, главным образом, методом сплавления (рис.2.4).

Рисунок 2.4

В пластину, например, германия n-типа вплавляют при температуре около 500о С каплю индия, которая, сплавляясь с германием, образует германий р-типа. Электрические характеристики плоскостного диода определяются характеристиками р-n-перехода

Система обозначений. Система обозначений полупроводниковых диодов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919 – 81. Для обозначения полупроводниковых диодов используют шести – и семизначный буквенно-цифровой код.

Первый элемент – буква (для приборов широкого применения) или цифра (для приборов, используемых в устройствах специального назначения) – указывает материал, на основе которого изготовлен прибор: Г или 1 – германий; К или 2 – кремний и его соединения; А или 3 – соединения галлия (например, арсенид галлия); И или 4 – соединения индия (например, фосфид индия).

Второй элемент – буква, указывающая подкласс или группу приборов: Д – диоды выпрямительные и импульсные; В – варикапы; И – туннельные диоды; С – стабилитроны; Л – светоизлучающие диоды.

Третий элемент – цифра – определяет один из основных признаков, характеризующих прибор (например, назначение или принцип действия).

Четвертый, пятый и шестой элементы – трехзначное число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа прибора.

Седьмой элемент – буква – условно определяет классификацию по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии.

2.3 Выпрямительные диоды

Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный ток.

Вольт-амперная характеристика выпрямительного диода несколько отличается от вольт-амперной характеристики р-n-перехода, изображенной на рисунке 1.7. Отличие прямых ветвей характеристик начинает проявлятся с увеличением прямого тока. С ростом прямого тока все больше сказывается влияние объемного сопротивления базы диода rб. Падение напряжения  в базе Uб = Iпрrб растет быстро и линейно, а напряжение на р-n-переходе Uр-n= Uпр-Uб медленно. Вследствие этого прямая ветвь выпрямительного диода идет более полого, чем прямая ветвь на р-n-переходе (рис.2.5). В этом режиме прямой ток диода в основном определяется сопротивлением базы и линейно зависит от приложенного прямого напряжения. Этот участок характеристики называют омическим и он соответствует ее основной рабочей области.

Вольт-амперная характеристика выпрямительного диода при обратном включении (обратная ветвь), также отличается от вольт-амперной характеристики р-n-перехода (рис. 2.5).

Вольт-амперная характеристика выпрямительного диода

Рисунок 2.5

Обратный ток диода не остается постоянным и равным тепловому току проводимости I0. Он всегда растет с увеличением обратного напряжения. Главной причиной отклонения обратных ветвей выпрямительного диода и р-n-перехода является ток термогенерации в объеме перехода. Это явление состоит в том, что при высоком обратном напряжении неосновные носители заряда приобретают большую скорость под действием ускоряющего поля р-n-перехода и, ударяя атомы кристаллической решетки в области р-n-перехода, выбивают из них новые электроны, которые в свою очередь разгоняются ускоряющим полем и также выбивают из атомов электроны.

При некотором значении обратного напряжения возникает тепловой пробой р-n-перехода, при котором обратный ток резко возрастает, а сопротивление запирающего слоя резко уменьшается. Область теплового пробоя показана на рис.2.5 штриховой линией. Резкое возрастание обратного тока сопровождается выделением большого количества тепла. Тепловыделение не компенсируется теплоотводом. Тепловой пробой необратим, т.к. он сопровождается разрушением вещества р-n-перехода.