Подготовка к зачёту по радиоэлектронике, ответы на вопросы, страница 13

где V - объем газа внутри блока, дм3;  - избыточное давление внутри блока, Па; t - срок службы или хранения блока, с.

Третьей отличительной чертой конструкций МЭС является ее де­ление на два явно специфических вида:

- цифровую,

- аналоговую.

Общим требованием к аналоговой аппаратуре является требова­ние обеспечения электромагнитной совместимости и, в частности, устранение взаимных наводок, которое может быть обеспечено, нап­ример, экранированием. Экранирование может быть локальное и об­щее. Локальное экранирование характерно для конструкций РЭС пер­вого-третьего поколений, где частотно-избирательные узлы выполня­ются на каркасных катушках. Здесь катушки экранируются алюминие­выми или латунными экранами прямоугольной или цилиндрической фор­мы. В конструкциях приемоусилительных устройств МЭС частотно-из­бирательные узлы имеют планарную конструкцию и электромагнитные связи существуют только по поверхности. Они могут образовываться из объема, если, например, верхняя крышка ФЯ близко расположена от поверхности МСБ. Однако, величины этих связей зависят как от рабочей частоты, так и от реактивностей самих частотно-избира­тельных узлов. Практика показывает, что, за исключением диапазона СВЧ, расстояние от МСБ до экрана (крышки) не зависит от частоты и определяется лишь высотой наиболее "высоких" комплектующих ЭРЭ и компонентов ИС.

22. Основные направления конструирования функциональных ячеек МЭС.

Применение БИС, СБИС, ФК и МСБ в конструкциях МЭС отражает качественно новый этап развития конструирования радиоэлектронной аппаратуры. Оно тесно связано с совершенствованием техники монта­жа и методов компоновки и может иметь в зависимости от назначения МЭС несколько направлений.

Выбор того или иного направления конструирования базируется на системном подходе, при котором в зависимости от требований к материальным и функциональным параметрам проектируемой РЭ системы выбираются ранги (уровни) структур частных систем, обеспечивающие синтез (оптимизацию) заданной РЭ системы. Применительно к конс­трукции МЭС на БИС, СБИС, ФК и МСБ такими уровнями Sj, начиная с низшего, являются:

S0 - ИС, БИС, СБИС, ФК;

S0 - МСБ (БГИС);

S1 - ФЯ;

S2 - моноблок.

Эти уровни, их варианты и связи между ними, отображающие возможные способы формообразования конструкций МЭС на ИС, БИС, СБИС, ФК и МСБ, представлены на рисунке 7.1:

 

Основой элементной базы МЭС являются бескорпусные ИС, а так­же транзисторы, диоды, конденсаторы и другие бескорпусные компо­ненты, которые на рисунке не показаны (уровень S0). Бескорпусные ИС и БИС в частных случаях могут помещаться в специальные миниа­тюрные корпуса или в кристаллодержатели (связь 1), предназначен­ные для монтажа на крупноформатных подложках, либо укрепляться на лентах-носителях (связь 2). ИС на ленте-носителе также может корпусироваться (связь 3). На уровне компоновки S0 бескорпус­ные ИС с совместимыми с ними микрокомпонентами и функциональными компонентами устанавливаются на подложках с тонко- или толстопленочными элементами, проводниками и контактными площадками, а также на полиимидные пленки, образуя бескорпусные МБС (связь 7) или, в случае корпусирования последних, - корпусированные МБС (связь 8). Применение корпусированных ИС и ИС в кристаллодержателях в корпусированных МСБ (связь 4) нерационально из-за значительных потерь в объеме и массе, а применение их в бескорпусных МСБ (связь 5) менее эффективно, чем непосредственная установка на крупноформатной подложке (связь 6), так как в этом случае устраняется дополнительная коммутация их через МСБ, а это позволяет получать выигрыш в площади, объеме и массе. Аналогично можно объяснить меньшую эффективность связей 9 и 10 по сравнению со связью 11 (компоновкой ИС непосредственно на крупноформатных подложках)