Каждое следующее поколение техпроцесса увеличивает внутреннюю скорость транзисторов (CV/I) на 30-50%. Напряжение питания уменьшается примерно на 25%, а поскольку потребляемая мощность пропорциональна квадрату напряжения, то она уменьшается примерно наполовину. Единственный параметр, который автоматически не улучшается, — задержка в межсоединениях (RC задержка). Тем не менее время распространения сигналов уменьшается из-за меньших размеров процессорных кристаллов. Кроме того, RC задержку можно уменьшить путем применения диэлектриков с малой проницаемостью (low-k диэлектриков) и проводников с высокой проводимостью (медь вместо алюминия).
В настоящее время наиболее широко распространена технология с 0.18 мкм проектными нормами. Технология предыдущего поколения с 0.25 мкм нормами для производства процессоров больше не
Технологические процессы фирмы Intel. Таблица 1 . |
|||||||
8-дюймовые (200 мм) пластины |
12-дюймовые (300 мм) пластины |
||||||
Техпроцесс |
Р852 |
Р854 |
Р856 |
Р858 |
Р860 |
Р1262 |
Р1264 |
Начало использования для производства |
1993 г. |
1995г. |
1997г. |
1999г. |
200 1г. |
2003 г. |
2005 г. |
Размер элемента |
0.5 мкм |
0.35 мкм |
0.25 мкм |
0. 18 мкм |
0. 13 мкм |
0. 10 мкм |
0.07 мкм |
Затвор транзистора |
0.5 мкм |
0.35 мкм |
0.20 мкм |
0. 13 мкм |
0.07 мкм |
0. 05 мкм |
0.03 мкм |
используется. Технология следующего поколения, которая только начинает
внедряться, обеспечивает 0.13 мкм проектные нормы. Параметры технологических
процессов, которые использовала в прошлом, использует в настоящее время и
собирается использовать в будущем фирма Intel, приведены
в таблице 1 (у других производителей ситуация примерно такая же). Схема
транзистора с характерными для 0.13 мкм технологии размерами приведена на рис.
1.
Современные технологии позволяют формировать на полупроводниковом кристалле десятки, и даже сотни миллионов транзисторов. Имея столь огромный бюджет строительных блоков (транзисторов), разработчики и производители могут использовать практически все известные решения для дальнейшего совершенствования архитектуры и роста производительности. Ключевыми являются распараллеливание операций, кэширование памяти и расширение системы команд.
Для распараллеливания операций используется конвейерная (Pipeline) и суперскалярная (Superscalar) технологии. Конвейеризация позволяет организовать параллельную обработку нескольких инструкций в одном исполнительном блоке (с перекрытием по времени). Суперскалярная технология позволяет произвести пространственное распараллеливание — по нескольким исполнительным блокам (конвейерам). Обе технологии используются в комбинации.
При конвейеризации процесс выполнения инструкции раскладывается на стадии (число n — это длина конвейера), каждая из которых выполняется за один такт, причем в конвейере одновременно обрабатываются n инструкций, так что результат выполнения очередной инструкции выдается на каждый такт.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.