Дать определение нагрузочной характеристики транзистора, уметь её построить на семействе выходных характеристик транзистора. Показать, что существуют предельные напряжения, токи и мощность, превышение которых приводит к тепловому пробою транзистора. На выходные характеристики транзистора, уметь нанести границы максимально допустимых режимов. Знать, как определить температуру p-n-перехода, используя тепловое сопротивление транзистора.
Уметь объяснить принцип работы однопереходного транзистора, знать его структуру, особенности, входные и выходные ВАХ. Воспользовавшись аналогией с обычными биполярными транзисторами, получить выражения для коэффициентов усиления по току, напряжению, мощности.
4.5. Униполярные (полевые) транзисторы Литература: [1 - 10].
Рассмотреть структуру полевого транзистора с управляющим переходом и принцип его действия в схеме с общим истоком. Знать и уметь объяснить вид выходных (стоковых) характеристик и характеристики прямой передачи. Дать толкование тому факту, что с ростом напряжения на стоке рост тока стока замедляется и при некотором напряжении насыщения почти прекращается. Иметь представление о физических эквивалентных схемах транзистора, составленных на основании его принципа действия и структуры. Проанализировать частотные свойства транзистора. Знать выражение для коэффициента усиления по напряжению схемы с общим истоком.
Рассмотреть сходство и различие в структурах МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным каналом. Заострить внимание на физике формирования индуцированного канала и модуляции сопротивления встроенного канала. Как и для полевого транзистора с управляющим переходом, знать и уметь объяснить вид выходных ВАХ и характеристик прямой передачи МДП-транзисторов. Для МДП-транзистора со встроенным каналом различать режимы обеднения и обогащения. Обратить внимание на такую особенность МДП-транзисторов, как возможность пробоя пленки диэлектрика под затвором внешними статическими зарядами.
Принцип действия полупроводниковых приборов с зарядовой связью рассмотреть на примере трехтактового регистра сдвига, представляющего собой последовательность МДП-структур, имеющих общий индуцируемый канал. Учесть, что прибор с зарядовой связью является динамическим устройством и имеет нижний и верхний частотные пределы работы. Знать, чем определяются эти пределы.
4.6. Тиристоры Литература: [1 - 10].
При изучении принципа работы динистора необходимо знать его энергетические диаграммы в состоянии термодинамического равновесия, при прямом напряжении в закрытом состоянии, в момент переключения из закрытого состояния в открытое и в открытом состоянии. Сопоставить этим диаграммам точки на ВАХ динистора. Показать, что недостатком простейшей n-р-n-р-структуры динистора является относительно малое напряжение включения. Для его повышения одну из базовых областей делают относительно толстой, а другой базовой областью шунтируют соответствующий эмиттерный переход.
Знать, что в тринисторах по сравнению с динисторами имеется дополнительный способ переключения: с помощью управляющего электрода. Различать омический (неинжектирующий) и инжектирующий управляющие электроды, особенности включения соответствующих тринисторов. Знать, что существуют тринисторы, запираемые по цепи управления. Обратить внимание на то обстоятельство, что при использовании в мощных устройствах запираемые тиристоры обладают преимуществами перед транзисторами, поскольку тиристоры способны выдерживать значительно большие напряжения в закрытом состоянии.
Усвоить, что общей особенностью структуры тиристоров, проводящих в обратном направлении, является распределенное шунтирование обоих эмиттерных переходов объемными сопротивлениями прилегающих базовых областей. Разобраться, почему пятислойная структура с зашунтированными крайними переходами является симистором, т.е. обладает симметричной относительно начала координат ВАХ.
Знать, что существуют следующие способы включения тиристоров: включение путем медленного увеличение напряжения между основными электродами до напряжения включения; включение с помощью управляющего электрода; включение путем быстрого увеличения напряжения между основными электродами.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.