19) 0бъясните принцип действия туннельных диодов. Какие составляющие тока через туннельный диод могут существовать при прямом его включении. Нарисуйте ВАХ диода и отдельных составляющих прямого тока.
20) Почему с ростом температуры обратное пробивное напряжение германиевого диодауменьшается, а кремниевого возрастает? Дня чего база некоторых импульсных диодов дополнительно легируется примесями тяжелых металлов (например, золотом)?
21) Объясните принцип действия р-n-р транзистора. Какие физические процессы определяют ток эмиттера, базы и коллектора в транзисторе? Из каких компонентов состоят эти токи?
22) Можно ли получить транзистор, соединив встречно два р-nдиода? Почему? Нарисуйте энергетические диаграммы р-n-р-транзистора, работающего в режимах отсечки и насыщения.
23) Нарисуйте энергетические диаграммы р-n-р-транзистора в равновесном состоянии, в активном инверсном режиме, в режимах отсечки и насыщения.
24) Изобразите входные и выходные ВАХ транзистора в схеме с общей базой. Какие три области выделяют на семействе статических выходных характеристик?
25) Почему параметры транзистора зависят от температуры? Как зависят от температуры ВАХ транзистора в схемах с ОБ и с ОЭ?
26) Изобразите входные и выходные ВАХ транзистора в схеме с общим эмиттером. Поясните их вид. Выделите и назовите три характерные области на семействе статических выходных характеристик.
27) Перечислите и охарактеризуйте виды пробоя транзисторов. Как и почему напряжение лавинного пробоя зависит от сопротивления в цепи базы транзистора?
28) Охарактеризуйте входные и выходные сопротивления, а также коэффициенты усиления по току, по напряжению и по мощности каждой из трех схем включения транзистора (с ОБ, с ОЭ, с ОК).
29) Какими процессами определяется верхний частотный предел работа транзисторов? В чем преимущество дрейфовых транзисторов? Охарактеризуйте частотные свойства каждой из трех схем включения транзистора (с ОБ, с ОЭ, с ОК).
30) Охарактеризуйте ключевой режим работы транзистора в схеме с ОБ. Приведите временные диаграмма напряжения входного импульса, входного и выходного токов транзистора.
31) Опишите устройство и принцип действия МДП-транзисторов с индуцированным каналом p-типа.
32) Какими физическими явлениями, происходящими в полевом транзисторе, ограничивается диапазон рабочих частот этого прибора?
33) Опишите устройство и принцип действия МДП-транзисторов со встроенным каналом р-типа.
34) Нарисуйте передаточные характеристики МДП-транзисторов со встроенным каналом n- и p-типов электропроводности; с индуцированным каналом n- и p-типов.
35) Приведите эквивалентную схему полевого транзистора и объясните физический смысл входящих в нее элементов.
36) Каковы преимущества МДП-транзистора по сравнению с биполярным транзистором? Имеет ли полевой транзистор недостатки?
37) Изобразите структуру и схему включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n типа и расскажите о принципе его работы.
38) В чем принципиальное отличие полевого транзистора от биполярного? С помощью схематических диаграмм объясните конструкцию и принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Приведите семейства стоковых характеристик и характеристик передачи.
39) Каковы устройство и принцип действия приборов с зарядовой связью?
40) Каковы основные применения приборов с зарядовой связью?
41) Нарисуйте структуру и ВАХ динистора и объясните принцип его работы.
42) С какой целью в структуре тиристора осуществляют шунтирование одного из эмиттерных переходов, а одну из базовых областей делают толстой по сравнению с диффузионной длиной неосновных носителей заряда?
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.