Уметь объяснить особенность симметричного и несимметричного p-nперехода. Знать выражения для ширины несимметричного p-n-перехода, различать слой эмиттера и слой базы.
Уметь объяснить наличие барьерной и диффузионной емкостей p-nперехода, их особенности. Уметь построить вольт-фарадную характеристику для барьерной емкости p-n-перехода; знать, что изменение последней обусловлено зависимостью ширины p-n-перехода от приложенного напряжения.
Необходимо уяснить условия возникновения лавинного, туннельного и теплового пробоя, особенности отдельных видов пробоя, качественную зависимость напряжения пробоя от температуры. Знать выражение и уметь построить вольтамперную характеристику идеализированного p-n- перехода.
Уметь объяснить образование омического (невыпрямляющего) перехода при контакте двух полупроводников с одним типом проводимости. Знать выражения для контактной разности потенциалов на таких переходах.
Необходимо уяснить условия возникновения омических и выпрямляющих переходов на контакте металла с полупроводником n- и p- типа, уметь построить соответствующие энергетические диаграммы. Условием образования выпрямляющего контакта справедливо считать появление в области перехода обедненного основными носителями слоя, имеющего повышенное сопротивление. Тогда основная часть приложенного к структуре внешнего напряжения падает на обедненном слое. Если это напряжение прямое, то суммарная напряженность поля в переходе и ширина обедненного слоя уменьшается, а прямой ток резко возрастает; если же напряжение обратное, то напряженность поля в переходе и ширина обедненного слоя возрастают, что препятствует росту обратного тока.
Иметь представление о возможности образования инверсного слоя, а, следовательно, полупроводникового p-n-перехода на контакте металлполупроводник.
Знать, что при контакте двух полупроводников с запрещенными зонами различной ширины возможно возникновение выпрямляющих и невыпрямляющих переходов (гетеропереходов). Уметь показать, что выпрямляющие гетеропереходы могут быть как инжектирующими, так и неинжектирующими.
4.3. Полупроводниковые диоды Литература: [1 - 10].
В этом разделе следует уяснить особенности вольтамперных характеристик рассматриваемых диодов. Нужно знать основные параметры приборов, а также условные графические обозначения в схемах, уметь дать определение каждому из приборов.
При изучении выпрямительных диодов особое внимание обратить на отличия реальных вольтамперных характеристик диодов от характеристики идеального p-n-перехода, уметь объяснить различия в ВАХ германиевых и кремниевых диодов. Рассматривая полупроводниковые стабилитроны, иметь ввиду, что для стабилизации напряжения может быть использован лавинный либо туннельный пробой p-n-перехода, а также прямолинейный участок прямой ветви вольтамперной характеристики диода.
При изучении туннельных диодов необходимо обратить внимание на отличия энергетических диаграмм p-n-переходов на основе вырожденных и невырожденных полупроводников. Уметь сопоставить отдельные участки ВАХ туннельного диода энергетическим диаграммам перехода при соответствующих внешних смещениях. Обращенный диод уместно рассматривать как прибор, свойства которого определяются тем, что концентрация примесей в его электронной и дырочной областях выше, чем в традиционном выпрямительном диоде, но ниже, чем в туннельном.
Изучая варикапы, необходимо уяснить их эквивалентные схемы для различных диапазонов частот, усвоить, как изменяется добротность варикапа с изменением частоты.
Важно знать, какими причинами ограничивается частотный диапазон применения диодов, какие меры предусмотрены в импульсных, высокочастотных и сверхвысокочастотных диодах для расширения их частотной полосы. Уметь объяснить, почему на высоких частотах широко применяются туннельные, обращенные диоды, выпрямляющие гетеропереходы, диоды Шотки.
При изучении диодов Шотки обратить внимание на соотношение работ выхода металла и полупроводника, уметь построить энергетические диаграммы перехода при прямом и обратном смещении. Знать устройство диодов Шотки и их отличительные особенности.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.