Структура и элементная база цифровых систем. Реализуемая логическая функция. Нагрузочная способность, страница 25

Как правило в микросхемах ПЗУ и РПЗУ используется словарная выборка   4-х, 8 –ми, 16 –ти разрядных чисел.

Динамические микросхемы ОЗУ

Обычно динамические ЭП реализуются на МДП – структурах, так как  они обеспечивают приемлемое время хранения информации без регенерации порядка 10 млсек, а также имеют меньшую потребляемую мощность.

В динамических ЭП информация хранится в виде заряда емкости.

В режиме записи на шине АШЗ через ДШХ возбуждается высокий потенциал U1 в выбранной строке накопителя. Формирователь эаписи – регенерации, управляемый сигналом  М1 , поступающим от ДШУ, вырабатывает на шине РШз сигнал записи, соответствующий  входной информации DI = 0  или 1. Открывается транзистор VT1, и емкость Сз заряжается до потенциала шины РШз.

При считывании сигналом М2 от схемы управления  открывается транзистор VT4, и емкость Ср заряжается до высокого потенциала.  По окончании сигнала М2 транзистор VT4 закрывается, на шину АШс  с ДШс подается сигнал выборки, который открывает транзистор VT3.

Если ЭП был в состоянии «1» (ёмкость СЗ заряжена до высокого потенциала), то VT2 открыт, и ёмкость СР через транзисторы VT2  и  VT3 разряжается до потенциала UP = 0. Если Qi =0, то VT2 закрыт, и на ёмкости СР сохраняется потенциал UР = 1. В качестве схемы считывания используется  инвертор, поэтому на выходе Wi =  Qi. Значение W  через буферный каскад поступает на выход микросхемы DO.

Так как стечением времени заряд на ёмкости СЗ уменьшается, то снижается потенциал на затворе транзистора VT2, и транзистор закрывается. В этом случае вместо записанного значения  «1», будет считываться  «0». Чтобы избежать таких искажений информации в динамических микросхемах памяти производится периодическая регенерация (восстановление) информации.

В режиме регенерации сигналы выборки подаются на обе шины АШс  и  АШЗ. Считанная в каждом из столбцов информация  Wi поступает через ФЗР на вход ЭП, и восстанавливает заряд на хранящей ёмкости до первоначального значения, т.е. регенерация проводится во всех ЭП строки одновременно. Для полной регенерации необходимо на адресные входы последовательно подать адреса всех строк. Таким образом, для регенерации требуется  NX тактов времени (по числу строк)

Для большинства микросхем регенерацию необходимо производить через 2 млсек.

Схема динамического элемента памяти

    АШс

                                                                                                                   VT3

                                             ЭП                                                                                                        UP             

 


                                        РШЗ                                                  VT2                                                  VT4   

                                                                                  Qi                                                                 

 


                                                                 VT1                 CЗ                                                       M2

                                                                                                                                 Ср   

 


АШЗ

 


М1                ФЗР                                                                                СС

 


                              DI                                                                                                                         Wi

6.Функциональные блоки цифровых систем

На базе комбинационных и последовательностных узлов строятся крупные функциональные блоки, из которых  создаются цифровые системы. В зависимости от архитектуры системы и выполняемых ею функций способы обработки и хранения данных могут быть самыми различными. Эти особенности функционирования определяются используемыми в системе функциональными блоками.