Резисторы. Классификация , маркировка и УГО. Разновидности тиристоров. Устройство и принцип работы

Б1.

Резисторы. Классификация , маркировка и УГО.

Резистор- это компонент РЭА с помощью которого осуществляется регулирование и распределение эл. энергии  между цепями и элементами схемы. Резисторы классифицируются на: постоянные-значение сопр. фиксировано; переменные- с измен-ся значением сопр.

Маркировка: R1(E1)-0.1 Ом; 10R-10 Ом; 100R(K10)-100 Ом; 100K(M10)-100 кОм; 33M2-33.2МОм ; G10-100 МОм; G59-590 МОм; 1G0-1ГОм .

(Р1-26: Р – постоянный(РП - переменный); 1 – непроволочный (2 - проволочный); 26 – порядковый номер разработки)

Разновидности тиристоров. Устр-во и принцип работы.

Тиристор - 4-слойный п\п прибор, облад. 2-мя устойч. сост.: низкой (закрыт) и выс.(открыт) проводимости, ВАХ которого имеет участок отриц. сопр-ния. Тиристоры дел. на диодные (динисторы) и триодные (тринисторы). По числу внеш. электродов: 2-х и 3-х эл-ные. Динисторы и тринисторы имеют 4-слойную структуру п\п с эл.-провод-тью разного типа. Пит.U прилаживается к третьему p-n переходу, т.к. первые 2 имеют очень малое сопр-ние. Дальнейшее увелич. U приводит к появл. U включения и пробою. Пробой не вызывает разрушения перехода. Через 10-30мс сопр-ние восстанавл.

Симметричные триггеры на бип. тр. с кол.-баз. связями.

Если при подаче напряжений Ек и Ев транзистор VT1 оказался в режиме насыщения, а VT2 в режиме отсечки, то первый отрицательный импульс, поступивший на базу VT1 вызывает уменьшение тока Iк1 и увеличение Uкэ1. Скачек Uкэ1 через элементы Су1 и R4 поступает на базу VT2. Это приводит к увеличению тока Iк2 и уменьшению Uкэ2, которая через Су2 и R3 передает на базу VT1.

Uбэ1  - iк1  -Uкэ1  -Uбэ2  -iк2  -Uкэ2  

В результате действия ПОС VT1 закрывается , а VT2 переходит в насыщение, такое состояние триггера сохраняется до прихода отрицательного импульса на базу VT2. Уменьшение Uбэ2 вызывает уменьшение Iк2 и увеличение Uкэ2. Создаются условия для нового срабатывания триггера.

Uбэ2  -iк2   - Uкэ2     - iк1    - Uкэ1. Транзистор VT1 открывается и переходит в режим насыщения, а VT2 запирается. В таком состоянии триггер будет находиться до поступления на 1-й вход разрешающего импульса, который вызовет опрокидывание  в первое состояние.

Б2.

Основные параметры резисторов.

1.  Номинальное сопр.- это эл. сопр. значение которого обозначается на резисторе или указано в справочнике.

2.  Допускаемое отклонение сопротивлений от номинальной величины, выражено в %- наз. допуском.

3.  Мощность- это наибольшая мощность которую резистор может рассеивать в течении срока службы при сохранении параметров установленных приделов.

4.  ТКС - относительное изменение вел-ны сопр-я резистора при изменении его температуры на 1 градус, т. е. ТКС=∆Ri/R∆t.

5.  Придельное рабочее напряж. (Uпред)- это max напряж. при котором может работать резистор.

6.  Max температура окруж. среды , для нормальной мощности рассеивания (Н+55 градусов; Т- тропический +65 градусов; В-всеклимотич).

Динисторы. Осн. хр-ки и параметры. Схема включ. УГО и маркировка.

Динисторы имеют 4-слойную структуру п\п с эл.-провод-тью разного типа. Пит.U прилаживается к третьему p-n переходу, т.к. первые 2 имеют очень малое сопр-ние. Дальнейшее увелич. U приводит к появл. U включения и пробою. Пробой не вызывает разрушения перехода. Через 10-30мс сопр-ние восстанавл. Осн. пар-ры: Uвкл., Iвкл., Iоткл- макс. пост. ток в открытом сост., Uоткл- макс.допустимое обратное напр-ние,Iyотк- пост.отпир.ток у.э.

Мультивибраторы. Схема и принцип работы. Диаграмма работы.

Применяются для генерирования прямоугольных импульсов в тех случаях, когда нет жестких требований к их длительности и частоте повторения. Он представляет собой двухкаскадный усилитель с ОС замкнутый в кольцевую схему: выход первого усилителя соединен с входом  второго и наоборот. Если Rк1=Rк2, Rб1=Rб2, С1=С2, то мультивибратор симметричный.  При подключении источника питания, токи проходят через оба транзистора. Одновременно начинается зарядка конденсаторов. По мере увеличения коллекторных токов транзисторов повышается и коэффициент усиления плеч мультивибратора. Пока βКu<1 производим увеличение коллекторных токов обоих транзисторов и увеличение напряжений Uc1 иUc2. Мультивибратор работает как двухкаскадный усилитель с ОС.  В следствии даже незначительной ассиметрии плеч мультивибратора (разброс параметров R, C, VT, коллекторный ток одного VT окажется больше другого VT). При βКu>1, то это приведет к возникновению регенеративного процесса. Пусть Iк1>Iк2, тогда получим Uбэ2↓→ Iк2↓→ Uкэ2↑→ Uбэ1↑→Iк1↑.Процесс увеличения Iк1 и уменьшения Iк2 в следствии действия ПОС носит лавинообразный характер и заканчивается переходом VT1 в режим насыщения, а VT2 в режим отсечки. При открытом VT1 конденсатор С1 оказывается подключенным через малое сопротивление rкэ1 между базой и эмиттером VT2. при этом отрицательное напряжение Uбэ2= -Uс1 поддерживает VT2  в закрытом состоянии. В таком состоянии которое называется временно-устойчивым (квазиустойчивым) мультивибратор будет находиться в течении времени определяемого перезарядкой конденсатора С1 по цепи +Еп→ Rб2→ С1→ VT1→ -Еп. В это время происходит зарядка конденсатора С2 по цепи +Еп→ Rк2→С2→ база-эмитер VT1→- Еп. Обычно Rк и Rб выбираются так, чтобы процесс зарядки протекал быстрее чем перезарядки поэтому С2 успеет зарядиться до значения +Еп. После окончания зарядки С2, транзистор VT1будет удерживаться в режиме насыщения за счет протекания тока базы. Iб= Iнас=Еп/Rб1. По мере перезарядки конденсатора С1 напряжение Uс1 увеличивается и в некоторый момент достигает нулевого значения. С этого момента VT2 открывается, его Uкэ2↓→Uбэ1↓→Iк1↓→Uкэ1↑→Uбэ2↑→Iк2↑. Этот процесс заканчивается с запиранием транзистора VT1 и переходом в насыщение транзистора VT2. Мультивибратор переходит во второе квазиустойчивое состояние в котором начинается зарядка С1 по цепи +Еп→ Rк1 →С1→ база-эмитер VT2 →-Еп и перезарядка С2 по цепи  +Еп→ Rб1→ С2→ коллектор-эмитер VT2→ -Еп. Транзистор VT1 будет поддерживаться  в закрытом состоянии напряжением Uс2, которое подключается через малое сопротивление rкэ2 между базой и эмиттером минусом к базе. Такое квазиустойчивое состояние будет сохраняться до тех пор пока Uс2 не достигнет нулевого значения. С этого момента начнет развиваться новый лавинообразный процесс, который приводит к отпиранию транзистора  VT1 и запиранию  VT2. время закрытого состояния VT1 определяется перезарядкой конденсатора С2. длительность импульса на выходе 1 и 2 будет примерно равняться:  tn1≈C2∙Rб1∙ln2≈0,7C2∙Rб1; tn2≈C1∙Rб2∙ln2≈0,7C1∙Rб2, а общее время длительности сигнала будет T= tn1+tn2≈1,4Rб∙С.