Резисторы. Классификация , маркировка и УГО. Разновидности тиристоров. Устройство и принцип работы, страница 4

Б8.

Виды п/п. Простые и сложные полупроводники.

Простой п/п – это п/п без примесей. Сложный – с примесями.

Бывают п/п n-типа и р-типа. N-типа – это сложный п/п (германий) к которому добавили примесь п/п-ка 5 валентного(мышьяка). При этом возникает донорная (электронная) электропроводность (n-типа) и основными носителями заряда являются электроны. P-типа электропроводность возникает если к п/п-ку добавить примесь 3 валентного элемента (индия). При это основными носителями заряда являются дырки, такую электропроводность называют акцепторной (дырочная электропроводность).

Движение электронов в электрич. поле.

E=U/d- напряжённость эл. поля. F=eE=eU/d- сила, действующая на электрон с зарядом e, помещ. в эл. поле. Если нач. скорость =0, то электрон будет двигаться только под действием силы поля. Скорость электрона в эл. поле 600корней изU. На первом рис. эл. поле ускоряющее. На втором – тормозящее. На третьем – поперечное.      

Одновибраторы. Схема принцип работы. Диаграммы.

Используется для получения прямоугольных импульсов большой длительности (10мкс- 100мкс), в качестве устройства задержки делители частоты, одновибратор обладает одним устойчивым состоянием: в котором может находиться сколько угодно долго, пока к нему не будет приложено внешнее напряжение, переводящее его в квазиустойчивое состояние. 

 

Под действием ПОС происходит изменение

 ik2↓èUкэ2↑èUбэ1↑èik1↑èUкэ1↓èUбэ↓    

VT2 запирается , а VT1 открывается и переходит в насыщение, наступает квазиустойчивое равновесие. После открытия VT1 конденсатор оказывается включен между базой и эммитером VT2, при этом Uбэ2= -Uc, начинается перезарядка конденсатора по цепи

+En èRбèCèVT1è-En

Перезарядка сопровождается уменьшением напряжения на конденсаторе и на базе транзистора VT2.При увеличении раб. точка перейдет в активную область и замкнется цепь ПОС:

ik2↑èUкэ2↓èUбэ1↓èik1↓èUкэ1↑èUбэ2↑   

VT1 закроется, а VT2 откроется и будет находиться в режиме насыщения. Начнется заправка конденсатора по цепи:

+EnèRk1èCèVT2è-En

после зарядки конденсатора одновибратор будет в устойчивом состоянии до прихода следующего запускающего импульса, т.е. находиться в режиме ожидания. Длительность одновибратора: Tn= 0.7 * Rб*С

Б9.

Примесная электропроводность. Контактные явления в п/п.

Электронно-дырочный переход – область на границе двух п/п, один из которых имеет электронную, а другой дырочную электропроводность. При соприкосновении п/п-ков ву пограничном слое происходит рекомбинация(восстановление) электронов и дырок. Свободные электроны из зоны п/п-ка n-типа занимают свободные уровни в валентной зоне п/п-ка р-типа. В рез-те вблизи границы двух п/п-ков образуется слой, лишённый подвижных носителей зарядов и поэтому обладающий высоким электрическим сопротивлением. Этот слой наз-тся запирающим слоем.

Движ-е электрона в однородном магнитном поле.

F=B•i•l•sinα– сила, с которой магн. поле действует на проводник с током. B- магн. индукция, i- ток, l- длина, α (альфа) – угол между направлением тока и силовой линией магн. поля. На неподвижный электрон и электрон, движущийся вдоль силовых линий, магн. поле не действует. Сила поля максимальна, когда электрон движется перпендикулярно силовым линиям. Эта сила всегда перпендикулярна скорости электрона.

Дифференцирующая цепь. Работа и примен. Условие дифференцирования.

 

U2=ic*R=c*dUc/dt*R=RC*d(U1-U2)/dt= τ*d(U1-U2)/dt.

   i=c*dU2/dt.

Если U2<<U1, то U2=τ *dU1/dt.

Такую RC цепь наз. дифференцирующей. При поступлении на вход дифференцир-й цепи прямоугольного импульса, на её выходе формируются остаточные импульсы положительной и отридц. полярности.

Длительность полученных импульсов зависит от уровня на котором она определяется. На уровне 0,5*U1 tu≈0,7τ, τ =RC. Для уменьшения длительности импульсов необходимо уменьшить τ. На практике уменьшение τ ограничивается тем, что у входных импульсов фронт и срез не явл-ся строгопрямоугольн. С помощью дифференц. цепей удаётся получить импульсы длительностью 0,1мкс. Дифференцир. цепи примен-ся для формирования короткого импульса