Резисторы. Классификация , маркировка и УГО. Разновидности тиристоров. Устройство и принцип работы, страница 10

Амплитудная характеристика- зависимость амплитуды или гармонического вых.U

или I  от амплитуды гармонического входного U или I  .

Переходная характеристика- зависимость Uвых (или I) от времени при ступеньчатом изменении напряжения или тока.

Также к основным параметрам и характеристикам относятся: линейные и нелинейные искажения, динамический диапазон, коэффициент полезного действия итд.

Симметричные триггеры на бип. тр. с кол.-баз. связями.

Если при подаче напряжений Ек и Ев транзистор VT1 оказался в режиме насыщения, а VT2 в режиме отсечки, то первый отрицательный импульс, поступивший на базу VT1 вызывает уменьшение тока Iк1 и увеличение Uкэ1. Скачек Uкэ1 через элементы Су1 и R4 поступает на базу VT2. Это приводит к увеличению тока Iк2 и уменьшению Uкэ2, которая через Су2 и R3 передает на базу VT1.

Uбэ1  - iк1  -Uкэ1  -Uбэ2  -iк2  -Uкэ2  

В результате действия ПОС VT1 закрывается , а VT2 переходит в насыщение, такое состояние триггера сохраняется до прихода отрицательного импульса на базу VT2. Уменьшение Uбэ2 вызывает уменьшение Iк2 и увеличение Uкэ2. Создаются условия для нового срабатывания триггера.

Uбэ2  -iк2   - Uкэ2     - iк1    - Uкэ1. Транзистор VT1 открывается и переходит в режим насыщения, а VT2 запирается. В таком состоянии триггер будет находиться до поступления на 1-й вход разрешающего импульса, который вызовет опрокидывание  в первое состояние.

Б19.

Биполярные транзисторы. Общие сведения.

Биполярный транзистор-наз. электропреобразовательный прибор состоящий из 3-х областей с чередующимися типами электропроводимости и предназначены для усиления мощности.

В бипол. транзисторах ток определяется движением носителей заряда 2-х типов электронов и дырок. Бывают p-n-p и n-p-n.

Усилителя с непосредственными связями.

Режим покоя первого каскада рассчитывается как у обычного усилителя. Сопротивление Rэ2 должно быть таким, чтобы обеспечить условие Uкэ1+ Uэ1= Uбэ2+ Uэ2; Uэ2= -Uбэ2+  Uкэ1+ Uэ1. Обычно Uкэ1>>Uэ1, следовательно Uэ2>Uэ1. Согласно неравенству при одинаковых режимах работы транзисторов VT1 и VT2 справедливы неравенства Rэ2> Rэ2 и Rк2<Rк1. Т.к. резисторы Rэ1 и Rэ2 являются элементами ООС, то для определения коэффициента усиления каждого каскада воспользуемся формулой: ;

Увеличение сопротивления Rэ и уменьшение Rк приводит к уменьшению коэффициента усиления, поэтому в таком усилителе не удаётся получить значительного коэффициента усиления за счёт увеличения числа каскадов.

Для уменьшения ООС вместо Rэ1 и Rэ2 можно использовать п/п стабилитроны, однако это не устраняет причины уменьшения Rк в каждом последующем каскаде.

Для получения большого коэффициента усиления в многокаскадных усилителях с непосредственной связью иногда используется чередующие каскады, выполненные на транзисторах типа n-p-n и p-n-p. Такой усилитель называют усилителем с дополнительной симметрией.

Б27.

Схемы включения полевых транзисторов с p-nпереходом.

 


Коммутаторы (ключи).

Электронный ключ – устр-во. Которое может находится в одном из 2-ух устойчивых состояниях. Переход из одного состояния в другое в идеальном электронном ключе происходит скачком под действием управляющего напр-ния или тока. Реальные ключи в разомкнутом состоянии имеют конечное сопр-ние, в следствии чего в выкл. Состоянии ток ≈0 и напр-ние на выходе <E. В замкнутом состоянии ключа его внутр. сопротивлении ≈0 и поэтому: i=E/R+Ri;  Uвых=Ri*i=E*Ri/(R+Ri). Качество ключа тем выше, чем меньше значениетока в закрытом состоянии, напр-ние на выходе в открытом состоянии и время переключения.

Б18.

Сис-ма обозн-я диода. УГО диодов. ВАХ стабилитронов. Анализ стаб.

Сис-ма обознач-я диодов сост. из буквенных и цифровых элементов. В кач-ве первых элементов обознач-я использ. букву или цифру, опред. исходный мат-л, из котор. изготовл. диод. (1Д-ГД – германиевый; 2Д-КД – кремниевый; 3Д-АД – арсенит галлия ). Второй элемент – буква, опред. подкласс прибора (Д – выпрямительный; С – стабилитрон). После 2-го элемента идёт число, характериз. назнач-е прибора, номер разработки. Обозн-е заканч. буквами русского алфавита, котор. характериз. особые признаки прибора.