Б10.
Электронные процессы на поверхности п/п. ВАХ перехода.
При соприкосновении п/п-ков ву пограничном слое происходит рекомбинация(восстановление) электронов и дырок. Свободные электроны из зоны п/п-ка n-типа занимают свободные уровни в валентной зоне п/п-ка р-типа. В рез-те вблизи границы двух п/п-ков образуется слой, лишённый подвижных носителей зарядов и поэтому обладающий высоким электрическим сопротивлением. Этот слой наз-тся запирающим слоем.
Если к р-n переходи приложит внешнее напр-е Которое создаёт в запирающем слое эл. поле напряженности, совпадающее по направлению с полем неподвижных ионов напряжённостью Езап, то это приведёт к расширению запрещённой зоны, т.к. отведёт от контактной зоны и положит. и отриц. носители зарядов(дырки и электроны). При этом сопр-е р-n перехода не большое, ток через него мал и он обусловлен движением неосновных носителей зарядов. В этом случае ток называют обратным а р-n переход закрытый. При противоположном направлении внешнее электрическое поле направлено навстречу полю электрического слоя. Толщина запирающего слоя уменьшается и при напр-ии 0,3-0,5 В запирающий слой вообще исчезает. Сопротивление р-n перехода резко снижается и возникает большой ток, называемый прямым, а переход – открытым. Сопротивление открытого р-n перехода определяется только сопротивлением п/п-ка.
Электронная эмиссия.
Электронная эмиссия – процесс выхода электронов с пов-ти твёрдого тела в вакуум. Чтобы электрон вылетел за пределы металла, он должен обладать энергией, достаточной для преодоления сил, удерживающих его в металле. Внутренняя энергия для этого не достаточна. Поэтому ему нужно сообщить дополнительную энергию. Наименьшая дополнительная энергия, необходимая для преодоления сил, удерживающих его в металле, наз-тся работой выхода (Wo).
Термоэлектронная эмиссия – процесс излучения электронов с пов-ти нагретого металла.
Фотоэлектронная эмиссия – процесс выхода электронов с пов-ти металла, облучаемого лучистой энергией.
Вторичная электронная эмиссия – эмиссия электронов с пов-ти металла, облучаемого лучистой потоком электронов.
Электростатическая эмиссия – эмиссия электронов с пов-ти металла под действием сильного ускоряющего электрического поля.
Интегрирующая цепь. Работа и применение. Условие интегрирования.
ic=c*dUc/dtèdUc/dt=1/c*ic=1/c*(U1-U2)/R=1/RC*(U1-U2)=1/τ*(U1-U2)
Обычно Uc<<U1, тогда Uc=1/τ∫U1*dt – такие импульсы наз. интгрирующими. Условие Uc<<U1 означает, что за время действия входнго импульса конденсатор заряж. незначительно. Такая RC цепь наз. интегрирующей. Для выполнения операций интегрирования необходимо соблюдение условия τ>>tu. Интегрирующие цепи примен. для получения пилообразных импульсов, для увеличения длительности импульсов, фильтрации.
Б15.
Отклоняющие системы
Она состоит из 2-х пар поставленных под прямым углом друг к другу отклоняющих пластин. Подведенное к ним напряжение создает Эл. поле отклоняющее луч в сторону положительно заряженной пластины. Отклоняющая система предназначена для управления положением сфокусированного луча. В основу действия фокусировки и отклонения положено взаимодействие электрона с электрическим или магнитным полем. Приемником электронов служит люминесцентный экран, преобразующий энергию Эл. Луча в световое излучение.
Ограничители и формирователи. Разновидности. Принцип
работы.
Амплитудные
ограничители (АО) – 4-х полюсник у которого выходное напряж. повторяет форму
входного напряж. до тех пор, пока последнее не достигнет парога или уровня
ограничения и практически остаётся постоянным при изменении входного
напряж. Последовательный диодный ограничитель.Во время
положительного полупериода sin Uвх диод открыт. Его сопротивление
мало по
сравнению с сопр. нагрузки R, и почти всё входное напряж. выделяется на
нагрузку. В данном случае имеет ограничение “снизу” на
нулевом уровне. Ограничение входного напряж. можно осуществлять на уровне
отличном от нулевого. для этого в АО вводят дополнит. ист. питания.
Параллельный диодный АО.В параллельн.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.