28. Обратный ток насыщения полупроводникового диода I0 = 10-6А при 300К. Определить сопротивление диода постоянному и переменному току при прямом напряжении 0,15В.
29. Полупроводниковый диод имеет прямой ток 0,8А при напряжении 0,3В и 310К. Определить обратный ток насыщения, дифференциальные сопротивления при прямом напряжении 0,2В и обратном 1В.
30. При изменении прямого напряжения на 0,1В прямой ток Ge диода изменяется на 10мА, а при изменении обратного напряжения на 10В обратный ток изменяется на 40мкА. Определить дифференциальные сопротивления диода при прямом и обратном напряжениях.
31. Определить во сколько раз изменится сопротивление постоянному току и дифференциальное сопротивление диода Д305:
1. при изменении прямого напряжения от 0,4В до 0,6В при Т = 200С;
2. при изменении температуры от 200С до 1250С;
и для напряжений +0,6В и –50В.
32. Обратный ток насыщения диода Шоттки равен 2мкА. Диод соединен последовательно с резистором и источником постоянного напряжения Е = 0,2В так, что на диод подается прямое напряжение. Определить сопротивление резистора, если падение напряжения на нём равно 0,1В при 300К.
33. Определить ток идеализированного диода, текущий в цепи, если Е = 5В, R = 1кОм, обратный ток насыщения I0 =10-12А при 300К.
 |
33. Идеализированнный диод включен в схему:
Определить выходное напряжение.
35. Определить выходное напряжение в схеме:
Кремниевый диод, имеющий обратный ток насыщения I0= 10-5A, работает при 300 К.
36. Пользуясьсправочником, определить, можно ли использовать диод Д109 для выпрямления синусоидального напряжения с амплитудой 85 В.
37. Пользуясьсправочником, выбрать тип диода, пригодного для выпрямления переменного синусоидального напряжения с амплитудой Um = 400 В и рассчитанного на выпрямленный ток 250 мА.
38. Составить и рассчитать выпрямительную цепочку, позволяющую получить выпрямленный ток Iвыпр = 400 мА, если используются диоды Д226.
39. Пользуясь ВАХ стабилитрона Д813, определить при 200 С :
1. напряжение стабилизации (по справочнику);
2. максимально допустимый ток стабилитрона, если максимально допустимая рассеиваемая мощность равна 125 мВт.
40. Как зависит температурный коэффициент напряжения (ТКН) от вида пробоя p-n перехода в полупроводниковом стабилитроне? Для каких напряжений p-n перехода ТКН близок к нулю? Каким способом можно уменьшить ТКН полупроводниковых стабилитронов?
41. Для стабилизации напряжения в схеме подберите по справочнику полупроводниковый стабилитрон и рассчитайте необходимое сопротивление ограничительного резистора, если сопротивление нагрузки Rн = 500 Ом. Необходимое напряжение стабилизации Uст = 10 В, напряжение источника питания Е = 16 В.
42. Для стабилизации напряжения на нагрузке используется полупроводниковый стабилитрон с напряжением стабилизации Uст = 10 В. Определить допустимые пределы изменения питающего напряжения, если максимальный ток стабилитрона Iстmax = 30 мА, минимальный Iстmin = 1 мА, сопротивление нагрузки Rн = 1 кОм, сопротивление ограничительного резистора Rогр = 0,5 кОм.
43. Для условий, сформулированных в предыдущей задаче, определить пределы изменения сопротивления резистора нагрузки, если напряжение источника питания Е = 30 В.
44. Стабилитрон с напряжением стабилизации Ucт = 13 В, максимальным током стабилизации Iстmax = 20 мА, минимальным Iстmin = 1 мА подключен к резистору Rн = 2,2 кОм. Найти сопротивление ограничительного резистора, если напряжение источника меняется от Еmin = 16 В до Еmax = 24 В. Определить, будет ли обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменений Е.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.