Чаще всего встречается схема фотоэлемента, когда база может считаться бесконечной по сравнению с передним слоем, и в ней нет тянущих полей. Положим этот случай в основу расчета.
Теоретическая плотность фототока равна
 ,                              (1.22)
,                              (1.22)
где коэффициент собирания зарядов Q для рассматриваемого случая определяется по формуле
 ,                             (1.23)
,                             (1.23)
 -
коэффициент поглощения света материалом полупроводника. В качестве частоты
можно принимать среднее значение частоты света в полосе пропускания
-
коэффициент поглощения света материалом полупроводника. В качестве частоты
можно принимать среднее значение частоты света в полосе пропускания 
 -;
-;
 ;
;
Функцию генерации  приближенно можно рассчитать по формуле
 приближенно можно рассчитать по формуле
 ,                      (1.24)
,                      (1.24)
где  -
спектральная интенсивность излучения
-
спектральная интенсивность излучения  

 .
.
Действительная величина плотности фототока равна
 ,                             (1.25)
,                             (1.25)

Расчет величины плотности тока насыщения
Расчет величины плотности тока насыщения выполняется по формуле:
 ,                           (1.26)
,                           (1.26)
где   - концентрация
акцепторов в базе;
- концентрация
акцепторов в базе;
 -
толщина базы
-
толщина базы
 .
.
Расчет всех коэффициентов, плотности тока насыщения, плотности фототока, основных параметров фотоэлемента проведен с помощью программы на ЭВМ и представлен в приложении А.
Основные расчетные данные приведены в таблице.
Таблица 1.1
| Параметры СЭС | |
| Мощность | 2500 Вт | 
| Напряжение | 34 В | 
| Ток | 73,5 А | 
| Количество панелей БФ | 6 | 
| Ток одной панели не менее | 12,25 А | 
| Расчетные параметры ФП | |
| Ток короткого замыкания | 0,061 А | 
| Напряжение холостого хода | 0,7 В | 
| Ток в оптимальной точке | 0,061 А | 
| Напряжения в оптимальной точке | 0,6 В | 
| Мощность | 0,037 Вт | 
| Удельная мощность | 171,38 Вт/м2 | 
| Коэффициент заполнения | 0,8 | 
| КПД | 12,6% | 
| Количество ФП в панели | |
| Количество последовательных ФП | 57 | 
| Количество параллельных ФП | 40 | 
| 1 модуль | |
| Количество параллельных ФП | 6 | 
| Количество последовательных ФП | 4 | 
| Количество последовательных модулей в панели | 10 | 
| Количество параллельных модулей в панели | 10 | 
| Количество паралельных модулей в СБ | 30 | 
ВАХ фотоэлемента
Выполняется по формулам:
 ,          (1.27)
,          (1.27)
 .      (1.28)
.      (1.28)
Сопротивление растекания
токов в переднем слое   определяется в зависимости от
типа контактов. Для простейшего типа контактов
 определяется в зависимости от
типа контактов. Для простейшего типа контактов
 ,                            (1.29)
,                            (1.29)
 0,066374 Ом.
0,066374 Ом.
Для расчета
вольт-амперных характеристик элемента необходимо установить пределы изменений
токов и напряжений. Ток изменяется в диапазоне   ;
; 
 ,                            (1.30)
,                            (1.30)
 А.
А.
Напряжение
изменяется в диапазоне   ;
;
 ,                (1.31)
,                (1.31)
 В.
 В.
Результаты заносим в таблицу 1.1.
ВАХ модуля
Создаем модуль из 6 последовательно соединенных фотоэлементов и 4 параллельно соединенных ФЭ.
n- число последовательно соединенных элементов;
m- число параллельно соединенных элементов;
 (1.32)
                                               (1.32)
 (1.33)
                                               (1.33)
Подставив числовые значения и занесем результаты в таблицу 1.2.
ВАХ солнечной батареи
Так как СБ состоит из 3-х панелей параллельно соединенных, то nСБ= 10 и mСБ=10×3=30.
 (1.34)
                                            (1.34)
 (1.35)
                                           (1.35)
Подставим числовые значения и занесем результаты в таблицу 1.3.
1.5.3.3 Расчет мощностных характеристик ФЭП и КПД
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.