Исследование зависимости емкости варикапа и добротности измерительного колебательного контура от управляющего напряжения на варикапе

Страницы работы

3 страницы (Word-файл)

Содержание работы

Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения

Рейтинг за работу

Преподаватель           

Отчёт по лабораторной работе №11

по курсу физические основы микроэлектроники

«Исследование варикапа»

Работу выполнил                       студент группы 1444 кс

Разухин И.В.

Санкт-Петербург

2006

1. Цель работы:Исследовать зависимость емкости варикапа и добротности измерительного колебательного контура от управляющего напряжения на варикапе.

2. Перечень применяемых приборов.

     В состав лабораторной установки входят:

1. Измеритель добротности Q-метр Е4-11 (1) с образцовой катушкой индуктивности (2); инструкция по работе с Q-метром находится на рабочем месте;

2.  Источник питания постоянного тока Б5-45 (3);

3.  Лабораторный макет (4), конструктивно оформленный в виде кассеты из оргстекла с двумя парами выводов 1-2 и 3-4 для подключения к клеммам Сх (рис.16) параллельно измерительномуконденсатору Q-метра.  Кроме того, к клеммам Сх постоянно подключен добавочныйконденсатор   Сдоб.=100 пФ, рис.1б. Электрическая схема макета приведена на рис.2а и 26; КВ110А - исследуемый варикап. Если пренебречь влиянием разделительных конденсаторов (5600 пФ), то, в частности, при подключении макета контактными выводами   1-2   емкость измерительного контура Ск будет равна емкости Q измерительного конденсатор Q-метра плюс
100 пФ (рис.1б, 2а)

3. Электрическая схема.

        


  


4. Результаты измерений и вычислений.

U, в

Uo = 0,8 U, В

С2,пФ

Q

Св =С12,пФ

4

3,2

80,8

130

18,5

5

4

82,8

150

16,5

7,5

6

86,2

164

13,1

15

12

90

169

9,3

30

24

92,7

171

6,6

50

40

94,1

172

5,2

С,пФ

CK=(C1+100), пФ

г,МГц

99,3

199,3

32

Kпер= СВ1В2

Kпер = 18,5/5,2 = 3,56

5. Графики.

Похожие материалы

Информация о работе