Выберем тип модуляторной лампы и ее режима работы. Т.к. мы используем модулятор с частичным разрядом накопителя и выходным импульсным трансформатором, то пересчитаем напряжение на аноде лампы (напряжение первичной обмотки трансформатора) через коэффициент трансформации n. Выберем , тогда напряжение и ток на первичной обмотке трансформатора будет равно:
кВ; (4.4.1)
А. (4.4.2)
Напряжение на аноде лампы, когда она закрыта
кВ, (4.4.3)
и ток через нее, когда она полностью открыта
А. (4.4.4)
По полученным данным выбираем тип модуляторной лампы из справочной литературы [12]. Итак, выбираем импульсный модуляторный триод ГМИ-36Б.
Основные параметры для расчета:
ток анода в импульсе 50 А;
ток сетки в импульсе 5 А;
напряжение анода 45 кВ;
напряжение сетки в импульсе 1,2 кВ;
Рис. 11. Импульсные анодные характеристики лампы ГМИ-36Б.
По величине тока ia.max=43,5А находим по импульсной анодной характеристике лампы (рис.11) положение рабочей точки, соответствующее слегка перенапряженному режиму.
Для выбранного режима работы модуляторной лампы:
ea.min=5кВ; ea.max= ea.min +U1=(5000+35840)=40,84 кВ;
eс.max=200В; EC1=-600 В; EC2=1,2 кВ; ri=907 Ом.
Рассчитаем элементы схемы:
Сопротивление нагрузки модулятора по постоянному току:
Ом. (4.4.5)
Зарядное сопротивление R1:
кОм. (4.4.6)
Выбираем резистор 18 кОм .
Определим
Ом. (4.4.7)
Из этого зарядно-разрядная индуктивность равна
мГн, (4.4.8)
где – относительное снижение напряжения на нагрузке за счет шунтирующего действия индуктивности трансформатора, составляет также половину заданного допустимого спада вершины импульса.
Величина сопротивления R2:
кОм. (4.4.9)
Выбираем резистор 47 кОм .
Величина разделительной емкости С4:
нФ. (4.4.10)
Выбираем конденсатор 0,43 нФ .
Величины блокировочных емкостей С2, С3:
нФ. (4.4.11)
Выбираем конденсаторы 0,24 нФ .
Оценим формы выходного импульса:
Длительность фронта импульса:
, (4.4.12)
где R' – сопротивление, определяемое по формуле
Ом; (4.4.13)
EАВ – напряжение возбуждения клистрона, определяемое по приближенной формуле
кВ; (4.4.14)
Im=45 А – ток, определяемый по характеристике модуляторной лампы;
СП=150 пФ – паразитная емкость, шунтирующая нагрузку модулятора.
Следовательно
нс. (4.4.15)
Длительность спада импульса:
нс. (4.4.16)
Энергетические соотношения в модуляторе:
Изменение напряжения на накопителе:
кВ. (4.4.17)
Максимальное напряжение на накопителе
кВ. (4.4.18)
Минимальное напряжение на накопителе:
кВ. (4.4.19)
Напряжение источника питания:
кВ. (4.4.20)
Средняя мощность потерь в зарядном сопротивлении:
Вт. (4.4.21)
Средняя мощность потерь в индуктивности:
Вт. (4.4.22)
Средняя мощность потерь на аноде модуляторной лампы:
Вт. (4.4.23)
Средняя мощность модулятора:
Вт. (4.4.24)
Мощность источника питания:
Вт. (4.4.25)
КПД модулятора:
(4.4.26)
Требования к шунтирующему диоду:
Обратное напряжение: В.
Ток эмиссии катода: А.
Внутреннее сопротивление: Ом.
Мощность рассеяния на анода Вт.
Требования к источнику питания (выпрямителю):
выпрямленное напряжение кВ;
мощность выпрямителя Вт.
Требования к подмодулятору:
Амплитуда напряжения на выходе: В.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.