Схема состоит из источника постоянного тока базы , источника постоянного коллекторного напряжения VС и исследуемого транзистора Q1. Во всех примерах этого раздела в качестве исследуемого транзистора будем использовать высокочастотный маломощный n-p-n-транзистор типа 2N2369. Следует отметить, что при исследовании транзистора p-n-p-структуры полярность подключения источника тока и источника напряжения VС меняется на противоположную.
Для расчета статических характеристик транзистора используется режим моделирования схем по постоянному току программы MC8. Этот режим вызывается после построения схемы (рис. 2.1) командой меню Aнализ ® Передаточные характ. по постоянному току. Если схема не содержит ошибок, то после выполнения этой команды появляется окно установки параметров моделирования схемы по постоянному току Передаточные характеристики по постоянному току (рис. 2.2). Следует отметить, что значения тока источника и напряжения источника VС задаются непосредственно в процессе моделирования, поэтому при создании схемы они могут иметь произвольные значения.
Рассмотрим опции окна моделирования Передаточные характеристики по постоянному току:
Рис. 2.2. Вид окна установки параметров при расчете выходных статических характеристик биполярного транзистора
Команды
Запуск – начало моделирования. Расчет режима и вывод результатов.
Добавить – добавление еще одной строки спецификации вывода результатов после строки, отмеченной курсором. В этой строке устанавливаются способ отображения результатов и аналитические выражения для построения графиков.
Удалить – удаление строки спецификации вывода результатов, отмеченной курсором.
Больше – открытие дополнительного окна для ввода текста большого размера при расположении курсора в одной из граф, содержащих выражения, например X Expression.
Stepping – открытие диалогового окна задания вариации параметров. Позволяет задать диапазон и шаг изменения параметра одного из компонентов схемы. Например, в нашем случае это изменение тока базы (рис. 2.3), что позволяет получить семейство выходных статических характеристик транзистора.
Свойства – открытие дополнительного окна для оформления графика (толщина, цвет, характер линии и т.д. )
Параметры моделирования:
Можно менять параметры двух источников постоянного тока или напряжения. Записи для второго источника могут отсутствовать.
Имя – имя источника постоянного тока или напряжения. В нашем случае это источник коллекторного напряжения VС.
Диапазон – пределы изменения варьируемого источника тока или напряжения в формате:
Конечное_значение[,Начальное_значение[,Максимальный_шаг]].
Количество точек – количество точек рассчитываемых зависимостей, которые выводятся в табличной форме.
Температура – диапазон изменения температуры в формате
Максимум[,Минимум[,Шаг]].
Температура указывается в градусах Цельсия. При моделировании учитывается зависимость параметров элементов от температуры.
Макс. приращение, % – максимально допустимое приращение графика первой функции на интервале шага первого источника. Влияет на шаг, с которым рассчитываются зависимости.
Кнопки управления выводом графиков
1) линейный/логарифмический масштаб по оси x;
2) линейный/логарифмический масштаб по оси y;
3) выбор цвета графика;
4) формировать/не формировать таблицы значений рассчитываемых характеристик;
5) выбор зависимости для статистического анализа;
Параметры вывода результатов
P – порядковый номер выводимой зависимости;
X Expression – выражение для расчета зависимости по оси x.
Y Expression – выражение для расчета зависимости по оси y.
X Range – максимальное и минимальное значение по оси x в формате:
Максимум[,Минимум].
Y Range – максимальное и минимальное значение по оси y.
При расчете выходных статических характеристик по оси x откладывается значение напряжения коллектор–эмиттер, а по оси y– значение тока коллектора. Следовательно, в поля X Expression и Y Expression нужно записать выражения: VС(Q1) и IС(Q1) соответственно.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.