Теперь для получения семейства выходных статических характеристик следует задать диапазон изменения тока базы, для чего открываем окно Stepping (По шагам) (рис. 2.3).
Рис. 2.3. Вид окна По шагам с установками для изменения тока базы
|
и напряжения
коллектор-эмиттер VС во многом зависит
от интересов, которые преследует разработчик при выборе режима работы
транзистора по постоянному току (возможность питания каскада от источника с
определенным напряжением, хорошая термостабильность, получение максимального
усиления, минимального коэффициента шума, минимального энергопотребления и
т. .). В вашем случае до начала расчета статических характеристик
транзистора его режим работы будет известен (см. Порядок проведения работы,
пункт 6). Поэтому диапазон изменения токов и напряжений выберем таким, чтобы
рабочая точка (точка покоя) располагалась примерно в середине этого диапазона.
Для транзистора 2N2369 определен следующий режим по постоянному току: IБ = 80 мкА, UКЭ = 1,44 В. Исходя из этих данных для расчета статических характеристик в окрестности рабочей точки, диапазон изменения напряжения коллектор-эмиттер можно взять равным 0…3 В с шагом 0,01 В (см. рис. 2.2), а диапазон тока базы 0…0.2 мА с шагом 20 мкА рис. 2.3. После выполнения команды Запуск на экран будет выведено семейство входных статических характеристик (рис. 2.4). При этом значения тока базы на график не выводятся. Нижней кривой соответствует ток базы 20мкА, а верхней – 200 мкА, шаг изменения тока базы – 20 мкА.
Расчет семейства входных статических характеристик биполярного транзистора (2.1) аналогичен расчету выходных характеристик. Поэтому в данном разделе мы лишь коротко напомним последовательность расчета с акцентом на различия
1. Для расчета используется схема рис. 2.1.
Рис. 2.4. Семейство выходных статических характеристик биполярного транзистора 2N2369
2. 
Переходим в режим анализа схем по постоянному току Aнализ ® Передаточные характ. по постоянному
току.
3. Устанавливаем параметры моделирования в окне Передаточные характеристики по постоянному току:
3.1. В строку Менять 1 (см. рис. 2.2) вписываем ток базы IБ, диапазон изменения 0…0,16 мА с шагом 0,01 мА.
3.2. Значение, откладываемое по оси x – напряжение база-эмиттер (X Expression = Vbe(Q1)).
3.3. Значение, откладываемое по оси y – ток базы (Y Expression = IБ (Q1)).
3.4. Диапазон отображения графиков устанавливаем исходя из удобства их дальнейшего использования (X Range = 2.5,0.3), (Y Range = 0.4m,0).
4. В окне Stepping (По шагам) в качестве изменяемого параметра возьмем напряжение на коллекторе VC. Диапазон изменения этого параметра зададим 0…3 В с шагом 0,2 В.
Рис. 2.5. Семейство входных статических характеристик биполярного транзистора 2N2369
5. Выполняем команду Запуск. После этого на экран будет выведено семейство входных статических характеристик (рис. 2.5). При этом значения напряжения коллектор-эмиттер на график не выводится. Левая кривая соответствует напряжению 0В, средняя – 0,2 В, остальные, слившиеся в одну правую кривую, – напряжениям от 0,4 до 3 В.
Выходные динамические характеристики постоянного и переменного тока при активной нагрузке в системе координат выходной цепи представляют собой прямые, поэтому и называются нагрузочными прямыми соответственно постоянного и переменного тока.
Для нахождения уравнения нагрузочной прямой по постоянному току составим (пренебрегая током базы) уравнение Кирхгофа для выходной цепи транзистора в схеме рис. 1.2 работы № 1:
или
IК = (ЕП – UКЭ)/Rпост, (2.3)
где Rпост = RК + RЭ+ RФ – сопротивление нагрузки для постоянного тока.
Уравнение (2.3) и есть уравнение нагрузочной прямой постоянного тока, которая строится на графике 2.4.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.