Другие предметы \ Радиотехнические устройства

Основы проектирования и моделирования радиоэлектронных устройств в среде MICRO-CAP VIII, страница 5

* импульс прямоугольной формы, период Т = 5t_и

Таблица 1.2б

Атрибуты компонентов

Атрибуты компоненты	Номер варианта
Атрибуты компоненты	8	9	10	11	12	13	14	15
Обозначение в табл. 1.1	R¹	●	R¹	ИТУН	P	N⁴	M-n³	ИТУТ
Обозначение в окне схем	R12 R13	Выход ●	Rc Rj	G1	VT1	VT1	VT1	F1
Номинал или тип модели	68 Ом 9,1 кОм	–	1,1 МОм 13 кОм	15 мА/В	2N2906	2N3393	2P706A	100
Обозначение в табл. 1.1	ИПН	M-n	ИПН	ОУ⁵	R¹	ИПТ	ИИН	ИПТ
Обозначение в окне схем	Vк	VT1	VП	ОУ	Rз Rc	Iп	V5	I4
Номинал или тип модели	–9	2P912A	+24	LM224	1,3 МОм	100 мА	5,3 мкс^* 254 м0	1000 мА
Обозначение в табл. 1.1	C	R¹	N³	R¹	ИПН	R¹	▬	L
Обозначение в окне схем	Ск	R8 R6	VT1	Rк Rэ	Ек	Rb Ra		L5
Номинал или тип модели	10 пФ	1 МОм 240 кОм	2N3439	910 Ом 2,4 кОм	24 В	68 кОм 7,5 МОм	–	12 мкГн
Обозначение в табл. 1.1	N²	ИПТ	V	ИСН		ПТ-n	ИПТ	P⁴
Обозначение в окне схем	VT1	Ib	Еп	V5	2,5 мА	VT2	Ic	VT1
Номинал или тип модели	2N3499	40мкА	18В	60HZ	–	2N4222	30 мА	2N3468
Обозначение в табл. 1.1	▬	ОУ⁴	ПТ-p	C	ИНУТ	L	ОУ⁵	ИСН
Обозначение в окне схем		A3	VT2	Сr	VI2	Ldr	X4	Vin
Номинал или тип модели	–	LM2922	2N5462	680 нФ	240 Ом	1,3 мГн	Op_41A	10 МГц 20 мВ
Обозначение в табл. 1.1	V	ИПН	ИИН	M-n⁴	L	ИТУТ	ПТ-p	M-n⁴
Обозначение в окне схем	Ee	Ec	VИМ	VT1	Lа	F2	VT2	VT2
Номинал или тип модели	6 В	16 B	0,3 мкс^* 54 мВ	TRF822	36 мкГн	120	J240	2P310A
Обозначение в табл. 1.1	ИНУТ	P³	ИТУТ	P⁴	M-n	P⁵	L	ИНУТ
Обозначение в окне схем	VI2	VT2	F1	VT2	VT2	VT3	Ldr	VI2

Окончание табл. 1.2б

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

Скачать файл

Уважаемый посетитель!

Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).

Ссылка на скачивание - внизу страницы.