0. Введение
Основные технологические группы процессов в производстве ЭС: нанесение и модификация материалов, удаление материалов и получение заданной конфигурации технологических структурных элементов микросхем, в том числе полупроводниковая технология, пленочная технология, микролитография, технология изготовления, сборки и монтажа конструктивно-технологических элементов ЭС. Использование современных достижений физики и химии в технологии производства ЭС: электронные, ионные, атомные, лазерные, фотонные пучки, плазма, плазмохимия.
Электроника является основой современного научно-технического прогресса. Она обладает самыми высокими темпами развития научных исследований, разработки технологий, расширения номенклатуры и объемов промышленного выпуска ИЭТ.
Научные исследования в электронике охватывают широкий круг явлений, связанных с электронными и ионными процессами в вакууме, газовых и жидких средах, твердых телах и на границе раздела сред, а также оптоэлектронными фотонными явлениями, глубоким изучением свойств вещества под действием сверхвысоких магнитных и электрических полей, электромагнитных полей сверхвысоких частот, квантово размерных дефектов, явлений сверхпроводимости и т.д.
Технологии электроники основаны на использовании процессов получения монокристаллических и сверхчистых материалов, прецизионной размерной обработки их в контролируемых технологических средах с обеспечением низкого уровня вносимых загрязнений и дефектов, последовательным формированием физической структуры ИЭТ с высокой воспроизводимостью характеристик, заданным уровнем качества и надежности.
Специфика электронных технологий состоит в строгой детерминации последовательности технологических операций, необходимости вести высокоточную и бездефектную обработку, так как для большинства типов ИЭТ возникновение хотя бы одного случайного дефекта в процессе изготовления ведет к неустранимому браку.
Технологическая обработка, как правило, проводится в специальных технологических помещениях - чистых комнатах, что снижает вероятность образования дефектов или загрязнений ИЭТ путем создания очищающих кондиционных технологических сред, защиты обрабатываемого изделия от загрязняющего воздействия оператора с помощью специального оборудования.
Необходимость обеспечения массового производства ИЭТ требует создания высокопроизводительного надежного автоматизированного специального технологического оборудования (СТО), которое работает на самых различных принципах в широком диапазоне измерения физических параметров: от гелиевых температур до 1600–1700 К; от давлений 10-9 до 109 Па; от перемещений на расстояния в несколько атомных слоев до десятков метров и т.д.
Высокие темпы развития электронных технологий (средний срок разработки принципиально новых технологий составляет около 5–6 лет, срок "жизни" технологий не превышает 15 лет) существенным образом сказываются и на темпах смены поколений технологического оборудования. Существует довольно значительная разница потребности в смене оборудования в отдельных отраслях электроники, и она, в первую очередь, обусловлена степенью специализации оборудования.
Поддержание необходимого технологического уровня, например, в микроэлектронном производстве, по опыту зарубежных фирм, требует смены основного парка специального технологического оборудования через 4–5 лет.
Технологический процесс создания ИЭТ характеризуется специфическими требованиями к оборудованию, материалам, условиям проведения операции обработки и методам контроля.
Основу ИЭТ составляют интегральные микросхемы (ИС).
Технологический процесс изготовления ИС включает большое число операций (до нескольких сотен) и представляют совокупность различных методов обработки: механических, химических, термических, оптических, плазменных и др. Технологический маршрут можно разделить на три этапа, объединяющие входящие в них операции в самостоятельные технологические процессы.
Первый этап – заготовительные операции: ориентация монокристаллических слитков, резка их, шлифование, полирование и очистка пластин.
Второй этап объединяет операции, обеспечивающие формирование микроструктур ИС: эпитаксию, диффузию, окисление, имплантацию, литографию, осаждение слоев из газовой фазы и в вакууме. Большинство из этих операций повторяется по несколько раз в технологическом процессе изготовления ИС.
Третий этап – монтажно-сборочные операции: разделение пластин на кристаллы, установка в корпус, монтаж выводов, герметизация, испытания, маркировка и упаковка.
Каждый из этих этапов включает, кроме указанных, различные контрольные операции, обеспечивающие отбраковку изделий, контроль за ходом технологического процесса и проверку на функционирование.
Основная часть производственного цикла – формирование микроструктур ИС – наиболее полно характеризует особенности методов обработки в электронном машиностроении. Несмотря на многообразие различных по своей природе операций этого этапа, они имеют ряд общих особенностей.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.