Магнитно-импульсная обработка позволяет получать такие композиционные соединения, какие трудно или невозможно изготовить традиционными способами, так как она сочетает высокоскоростное силовое воздействие и электронагрев. Это дает возможность формовать металлические оболочки сложной конфигурации, сваривать однородные и разнородные материалы, прессовать порошковые композиции, штамповать тонколистовые материалы, осуществлять сборку узлов из деталей с разной прочностью и жесткостью.
В микроэлектронике ВЧ- СВЧ-поля применяются для плавления полупроводниковых материалов при выращивании монокристаллов, испарения металлов и сплавов при нанесении тонких пленок в вакууме, а также, для создания и поддержания газоразрядной плазмы в устройствах эпитаксиального выращивания сверхчистых слоев, системах ионного распыления и термо-ионного осаждения пленок. Для измерения и контроля электромагнитные поля используются, например, в радиолокационных датчиках для обнаружения подвижных объектов, слежения за ними и управления траекторией их перемещения (транспортные и накопительные системы роботизированных технологических комплексов), а также многих других областях.
Воздействие электромагнитного СВЧ-поля на биологические системы, в частности, продукты питания, имеет по сравнению с традиционными технологиями преимущества: более высокую скорость и безынерционность нагрева, возможность резонансного воздействия, исключение потерь массы и пищевой ценности продуктов, значительное сокращение рабочей силы и производственных площадей.
Измерения, контроль и исследования. С помощью электронных, ионных, оптических, рентгеновских пучков и газоразрядной плазмы можно измерять геометрические размеры, определять физические и химические свойства обрабатываемых изделий, а также контролировать параметры технологических процессов.
При создании приборов из элементов с субмикронными допусками необходимо проверять на соответствие заданным геометрические размеры и свойства материалов. Даже самые лучшие оптические микроскопы не позволяют наблюдать детали объекта размером, меньшим, чем 0,3 мкм. В электронных же микроскопах достигается, разрешение 1 нм, а в некоторых типах - 0,5 нм (при определенных условиях можно рассматривать даже отдельные атомы). Максимальное увеличение оптического микроскопа составляет около 1000х, электронного - 100 000х, а электронного для наблюдения отдельных атомов - 1 000 000х.
Ионные микроскопы, так же как и электронные, подразделяются на три типа - просвечивающие, зеркальные и эмиссионные - и могут использоваться в двух режимах - проекционном и растровом сканирующем. Микроскоп с автоионной эмиссией имеет четкость разрешения, позволяющую наблюдать на поверхности металлических кристаллов массивы атомов с очень малыми радиусами.
Рентгеновские микроскопы относятся к устройствам обычного проекционного увеличения. Основное ограничение заключается в интенсивности рентгеновского излучения, и поэтому разрешение составляет значение порядка 0,1 мкм, что намного больше их теоретического предела, но лучше, чем в оптических микроскопах.
С помощью сканирующих электронных микроскопов можно получать информацию:
· об изображении поверхности, топологических контрастов, структуры материала, магнитных доменов;
· об атомном номере материалов поверхности, их химическом составе, кристаллической ориентации и структуре кристаллов;
· о распределении электрических потенциалов в поверхностных структурах, местонахождении и высоте потенциальных барьеров, изменении проводимости, глубине и толщине р-n-переходов, размерах запрещенной зоны, распределении примесей и т.п.
В режиме просвечивания можно наблюдать движение атомов и изучать ядерные процессы. Кроме того, оже-электронная микроскопия позволяет непосредственно во время осаждения технологических слоев, например с помощью молекулярно- лучевой эпитаксии, получать карту элементного анализа материалов, т.е. контролировать качество проведения технологического процесса.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.