Число рисок на шкале выбранной длины равно числу каналов, поэтому разбиение на поддиапазоны не требуется.
Согласно заданию курсовой работы необходимо разработать РПУ супергетеродинного типа, поэтому рассмотрев несколько типовых схем супергетеродинных приёмников выберем наиболее подходящую.
Типовая структурная схема супергетеродинного приёмника с однократным преобразованием частоты имеет следующий вид:
Рисунок 1.2 - Супергетеродинный приёмник с однократным преобразованием частоты
Как видно из рисунка 1.2 такой приёмник состоит из приёмной антенны (WA), входной цепи (Z1), усилителя сигнальной частоты (А1), преобразователя частоты (U1), усилителя и фильтра промежуточной частоты (А2), детектора (U2), усилителя мощности (А3) и оконечного устройства (А4). Принятый антенной сигнал поступает на вход согласующего устройства, которое предназначено для согласования антенно–фидерной системы со следующим каскадом приёмника. Усилитель радиочастоты обеспечивает усиление принятого сигнала до уровня, который необходим на входе преобразователя частоты. Также входная цепь и усилитель радиочастоты должны обеспечивать требуемое ослабление по зеркальному каналу приёма. С помощью дополнительного местного гетеродина в преобразователе частоты происходит смещение спектра сигнала в диапазон новых промежуточных частот. Промежуточная частота выбирается обычно ниже частоты принимаемого сигнала, но в нашем случае наоборот, благодаря этому легче осуществить требуемое ослабление зеркального канала.
Кроме избирательных свойств в усилителе промежуточной частоты осуществляется усиление сигнала, необходимое для его последующего детектирования в детекторе. Продетектированный сигнал поступает на усилитель мощности для обеспечения необходимой мощности в оконечном устройстве.
Для выбора затуханий воспользуемся справочными данными приведёнными в [5]: для частот 0.1 ÷ 0.2 МГц выбираем минимальное собственное затухание
δ0= 8∙10-3.
Коэффициент шунтирования для биполярного и полевого транзисторов:
Кшб = 1,6 ; Кшп = 1.
Тогда эквивалентное затухание определится из равенства:
δэ = δ0∙Кш. |
(1.5) |
Собственную и эквивалентную добротности определим по формуле:
Q=1/δ. |
(1.6) |
Результаты расчета по формулам (1.5) и (1.6) получим следующие:
Q0= 125;
- для биполярного транзистора:
δэ = 12,8∙10-3; Qэ=78,125;
- для полевого транзистора:
δэ = 8∙10-3;Qэ=125.
В данном разделе был произведен анализ технического задания; рассмотрены параметры приёмников, приведённые в справочной литературе из которых были выбраны наиболее подходящие для разрабатываемого РПУ не заданные в задании. Подходящим вариантом структурной схемы является вариант, приведенный на рисунке 1.2.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.