. |
(3.9) |
Результаты расчёта получим следующие:
–для биполярной структуры:
;
–для полевой структуры:
.
При заданном ослаблении по зеркальному каналу Seзк=55дБ по графикам приведённым в [1] находим структурную схему преселектора:
Рисунок 3.1 – Структурная схема преселектора
Теперь произведем аналитический расчёт ослабления сигнала по зеркальному каналу создаваемое одиночным и связанным колебательными контурами. Ослабление создаваемое одиночным колебательным контуром равно:
, |
(3.10) |
|
где |
d – затухание сигнала; x – обобщенная расстройка. |
|
Ослабление создаваемое связанным колебательным контуром равно:
, |
(3.11) |
|
, |
(3.12) |
|
, |
(3.13) |
|
где |
h – фактор связи; kc – коэффициент связи между контурами; Lк – индуктивность контурных катушек. |
|
При факторе связи h >1 резонансная кривая в полосе пропускания имеет провал, поэтому примем h =1. Подставляя в формулы (3.11), (3.12) значение x=xзк, получим:
– на биполярных транзисторах:
;
;
– на полевых транзисторах:
;
;
Аналогично произведем расчёт ослаблений колебательных контуров по соседнему и прямому каналам. Обобщенные расстройки согласно (3.10) составят:
- для биполярной структуры: ;;
- для полевой структуры: ;.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.