Рабочая программа и задание на контрольную работу с методическими указаниями, страница 25

_________________

*   - Импульсное напряжение

** - На знаковый разряд

Задание 5.6. Разработка одноразрядного цифрового СОИ на основе накали­ваемого вакуумного индикатора ИВ-9. По данным табл. 4.4,  В,  мА. Выберем структурную схему рис. 5.14. При расчете надо брать  с двойным запасом, учитывая бросок тока при сопротивлении холодной нити.

Исходя из этого, в качестве формирователя возьмем транзисторные сборки 1НТ251А (допустимый ток 400 мА) и включим в их открытые коллекторные выходы выводы сегментов, а общую точку соединим с плюсовой шиной источни­ка питания. В качестве знакогенератора применим К514ИД1, выходной ток этой ИМС достаточен для включения транзисторной сборки. При питании схемы от источника 5 В±5% и  В с учетом падения напряжения на транзисторах сборки IHT251A получим напряжение на индикаторе 3,8–4,3 В.

Таблица 4.4

Тип индикатора	Яркость, кд/м2		Размер знака, мм	Угол обзора, град	Номинальное напряжение, В	Ток накала, мА
	минимальная	номинальная
ИВ-9 ИВ-13	1700 7000	3000 10000	6×12 15,4×23	120 120	4,5 7,5	19,5 36

 

Рис. 5.14. Цифровое устройство отображения информации

с однокоординатной адресацией:

а – простейшая структурная схема; б – структурная схема с функциями

памяти и гашения незначащих разрядов

Задание 5.7. Разработка восьмиразрядного цифрового СОИ на основе полу­проводникового индикатора типа АЛ304Г. Так как число знакомест меньше де­сяти, то с учетом формул (5.23): , (5.23а): , целесообразно выбрать схему пораз­рядной индикации (см. рис. 5.15), дающую меньшее значение q. В качестве счетчиков, как и раньше, используем К155ИЕ2, а для построения мультиплексора {см. § 3.4) – ИМС преобразователя кода К155КП5, в качестве знакогенерато­ра – одну из схем К514ИД (какую именно, уточняют при разработке блока формирователя).

Рассмотрим специфику построения блоков формирователя Ф и коммутатора разрядов КР схемы рис. 5.15. Определим скважность, кадровую и тактовую ча­стоты.

Очевидно,  Гц; согласно (5.23),  и, следовательно, по (5.22): , имеем  Гц. Возьмем с запасом  Гц и  Гц. Тогда по (5.2): ,  мкс, что на несколько порядков значения превышает ,   полу­проводниковых индикаторов. Используя (4.10):  и учитывая сверхлинейный ха­рактер зависимости силы света от тока, находим,  А. Согласно диаграммам рис. 5.15,б, ключи в схеме Ф должны быть рассчитаны на средний ток , а в схеме КР – на импульсный ток  А,  А. Выберем для формирова­теля схему, изображенную на рис. 5.20. Приняв в ней  В, , получим потенциал на базе  В, на эмиттере   2,5-0,5=2,0 В и найдем  Ом. Включение схемы осуществляется уровнем , поэтому в качестве ЗГ выберем К514ИД2. Схема блока КР состоит из дешифратора DC кода 4, 2, 1 в унитарный код 1–8 и блока Кл ключей возбуждения знакомест (рис. 5.26).