6. J.R. Meyer, C.A. Hoffman, F.J. Bartoli, D.A. Arnold, et al. Methods for magnetotransport characterization of IR detector materials// Sem. Sci. Technol. 1993. Vol. 8. P. 805 – 823.
7. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors// J. Appl. Phys. 1974. Vol. 45. No. 7. P. 3023-3032.
8. Varavin V.S., Vasiliev V.V., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N. etal. HgCdTe epilayers on GaAs: growth and devices// Proceedings SPIE. 2003. V.5136. P.381-395.
9. Шуп Т. Е. Решение инженерных задач на ЭВМ: Практическое руководство// М.:Мир, 1982. 235 с.
10. R. Grill. Self-consistent calculation of Hall mobilities in the valence band of Hg0.8Cd0.2Te// Physical Review B. 1993. Vol. 48. No. 15. 11398.
11. J. Antoszewski and L. Faraone. Analysis of magnetic field dependent Hall data in narrow bandgap Hg1-xCdxTe grown by molecular beam epitaxy// J. Appl. Phys. 1996. Vol. 80. No. 7. P. 3881 – 3892.
12. Бахтин П.А., Дворецкий С.А., Варавин В.С. и др. Исследование зависимостей проводимости и коэффициента Холла от магнитного поля в плёнках CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии// ФТП. 2004. Т. 38. вып. 10. С. 1203 – 1206.
13. Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования// М.: Радио и связь, 1990. 264 c.
14. Варавин В.С., Дворецкий С.А., Костюченко В.Я. и др. Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-HgCdTe// ФТП. 2004. Т. 38, вып. 5. С. 532 – 537.
15. Meyer J.R. and Hoffman C.A., Antoszewski J. et al. Quantitative mobility spectrum analysis of multicarrier conduction in semiconductors// J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. No. 2. P. 709-713.
16. Baturina T.I., Borodovski P.A., Studenikin S.A. Microwave waveguide method for the measurement of electron mobility and conductivity in GaAs/AlGaAs heterostructures// Appl. Phys. A. 1996. Vol. 63. P. 293-298.
17. Schacham S.E. and Finkman E. Light-modulated Hall effect for extending characterization of semiconductors materials// J. Appl. Phys. 1986. Vol. 60. No. 8. P. 2860-2865.
18. Schacham S.E. and Finkman E. Magnetic filed effect on the R0A product of HgCdTe diodes// J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. V. 7. No. 2. P. 387-390.
19. Протасов Д.Ю., Костюченко В.Я. и Овсюк В.Н. Немонотонное поведение магнитофотопроводимости в HgCdTe p-типа// ФТП. 2006. Т. 40. вып. 6, С. 663 – 666.
20. Протасов Д.Ю., Костюченко В.Я., Крылов В.С., Овсюк В.Н. Определение времени жизни основных и неосновных носителей заряда в HgCdTe p-типа методом фотопроводимости в магнитном поле// Прикладная Физика. 2007, вып. 6. С. 27-30.
21. Lopes V.C., Syllaios A.S. and Chen M.C. Minority carrier lifetime in mercury cadmium telluride// Sem. Sci. Technol. 1993. Vol. 8. P. 824-841.
22. Nemirovsky Y., Fastow R., Meyassed M. et al. Trapping effect in HgCdTe// J. Vac. Sci. Technol. B. 1991. Vol. 9. No. 3. P. 1829 – 1839.
23. Barton S.C., Capper P., Jones C.J. et al. Determination of Shockley-Read trap perameters in n- and p-type epitaxial CdxHg1-xTe// Sem. Sci. Technol. 1996. Vol. 11. P. 1163-1167.
24. Anderson W.W. Absorption constant of Pb1-xSnxTe and Hg1-xCdxTe alloys// Infr. Phys. 1980. Vol. 20. P. 363 – 372.
25. Sarusi G., Zemel A., Eger D. et al. Investigation of the bulk and surface electronic properties of HgCdTE epitaxilal layers using photoelectromagnetic, Hall, and photoconductivity measurements// J. Appl. Phys. 1992. Vol. 72. No. 6. P.2312 – 2321.
26. Воробьёв Ю.В., Добровольский В.Н., Стриха В.И. Методы исследования полупроводников// Киев.: Выща Школа, 1988. 232 с.
27. Костюченко В.Я. Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в варизонных фотоприёмных структурах р-CdHgTе // Автометрия. 2009. Т. 45. вып. 4. С. 41−48.
28. Studenikin S.A. and Panaev I.A. Recombination parameters of epitaxial CdxHg1-xTe/CdTe layers from photoelectromagnetic and photoconductivity effects// Sem. Sci. Technol. 1993. Vol. 8. P. 1324-1330.
29. Равич Ю.И. Фотоэлектромагнитный эффект в полупроводниках и его применение// М.: Сов. Радио, 1967. 93 с.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.