Разработка памяти с информационной ёмкостью для памяти SRAM – 8МБ, для Flash-памяти – 8МБ, страница 3

Определим нагрузку, создаваемую микросхемами памяти на линию адреса.

Общая формула для расчёта ёмкостной нагрузки, создаваемой микросхемами накопителей на линию адреса:

,

где  – коэффициент объединения;

N_{слов_блока} – количество слов, хранимых блоком;

N_{слов_ИМС}  - количество слов выбранной ИМС памяти;

m_{разр_блока} – разрядность разрабатываемого блока;

m_{разр_ИМС} – разрядность выбранной ИМС памяти;

С_монт  - паразитная монтажная ёмкость;

С_{IN ИМС} – входная ёмкость ИМС (параметр из таблиц 1 и 2).

Для расчётов примем значение паразитной ёмкости С_монт=20пФ.

Для памяти SRAM:

пФ

Для памяти Flash:

пФ

Нагрузка на линию адреса, создаваемая микросхемами памяти, превышает допустимое значение (5-7пФ), поэтому необходимо использовать буфер.

Определим нагрузку, создаваемую микросхемами памяти на линию данных.

Общая формула для расчёта ёмкостной нагрузки, создаваемой микросхемами накопителей на линию данных:

,

где  – коэффициент объединения;

N_{слов_блока} – количество слов, хранимых блоком;

N_{слов_ИМС}  - количество слов выбранной ИМС памяти;

С_монт  - паразитная монтажная ёмкость;

С_{OUT ИМС} – выходная ёмкость ИМС (параметр из таблиц 1 и 2).

Для расчётов примем значение паразитной ёмкости С_монт=20пФ.

Для памяти SRAM:

пФ

Для памяти Flash:

пФ

Нагрузка на линию данных, создаваемая микросхемами памяти, превышает допустимое значение (5-7пФ), поэтому необходимо использовать трансивер.

Определим нагрузку, создаваемую микросхемами памяти на линию управления.

Общая формула для расчёта ёмкостной нагрузки, создаваемой микросхемами накопителей на линию управления:

где  – коэффициент объединения;

N_{слов_блока} – количество слов, хранимых блоком;

N_{слов_ИМС}  - количество слов выбранной ИМС памяти;

m_{разр_блока} – разрядность разрабатываемого блока;

m_{разр_ИМС} – разрядность выбранной ИМС памяти;

С_монт  - паразитная монтажная ёмкость;

С_{IN ИМС} – входная ёмкость ИМС по входам управления (параметр из таблиц 1 и 2).

Для расчётов примем значение паразитной ёмкости С_монт=20пФ.

Для памяти SRAM:

пФ

Для памяти Flash:

пФ

Нагрузка на линию управления, создаваемая микросхемами памяти, превышает допустимое значение (5-7пФ), поэтому управляющие сигналы необходимо буферизировать.

Учитывая проделанные выше расчёты, выбираем типономиналы интерфейсных элементов.

Выбираемые нами интерфейсные элементы должны иметь напряжение питания, совпадающее с напряжением питания микросхем памяти - 3.3±0.3В, либо допускающие такое его значение. Они должны обеспечивать необходимую токовую нагрузку на системную магистраль. Кроме того, буфер и трансивер должны иметь разрядность, соответствующую разрядности шин адреса и данных (32 бит). В качестве адресного селектора будем использовать программируемую логику. Т.к. адресный селектор для формирования сигналов CE, CE# и Fl должен анализировать 12 бит (11 бит адреса и сигнал MEMR), то в выбираемой микросхеме программируемой логики число входов должно быть не меньше 12, но превышение этого числа также нежелательно. Число макроячеек также не должно быть слишком большим, т.к. невелико число выполняемых булевских функций. Учтя выше сказанное, выбираем типономиналы интерфейсных элементов.

Буфер – SN74ALVTH32244 [3] фирмы Texas Instruments. Он состоит из восьми четырёхразрядных буферов, каждый из которых имеет свой вход OE#. Допустимое напряжение питание буфера лежит в пределах 3.3±0.3В. Имеет ТТЛ-совместимые входы и выходы. Функционирование буфера описывается таблицей 3 (см. ниже).

Таблица 3. Функционирование буфера.

Входы		Выходы
OE#	A	Y
L	H	H
L	L	L
H	X	Z