Классификация САПР печатных структур. Общие сведения о низкочастотных печатных структурах. Структурная карта/схема всех составляющих погрешностей платы. Характеристики печатной платы, страница 6

Выходные результаты САПР БИС записываются на МЛ, которая является управляющей для установок «прошивки» БИС.

При работе САПР БИС обязательным является наличие этапа логического моделирования, предшествующего конструированию. На этапе логического моделирования проверяется корректность реализованной логики, ее временной диаграммы, влияние подложки, скорости распространения сигналов, «гонки» импульсов (фронтов) на входах и т. п. Положительные результаты такого моделирования являются гарантией успешности конструкторского этапа и последующего изготовления БИС.

79.Особенность проектирования в САПР микрополосковых печатных структур. БД ЭРЭ и БЭ (S- матрицы). Примеры БЭ. Структурная схема и техпроцесс проектирования МПЛ. Входная информация ФЗ. Этап расчета и параметрическая оптимизация. ФШ. КД.

Микрополосковое СВЧ-устройство (МПЛ) представляет собой печатную плату-структуру, где в качестве несущего диэлектрика используется специальный материал, обладающий малыми потерями в СВЧ диапазоне, например: поликор, ситал, СВЧ-керамика и    т. п. На МПЛ-плате трассы между элементами и разъемами, кроме обычной функции передачи сигнала (энергии), выполняют роль преобразователей сигнала: фильтрация, ослабление, фазовый сдвиг. В этом состоит существенное отличие МПЛ-платы от обычной ДПП.

Разработчик МПЛ-устройства, с использованием справочников и собственного опыта проектирования, размещает элемента на плате и разрабатывает эскиз топологии (вручную). При этом, в качестве ЭРЭ на МПЛ-платах используются резисторы-R (исполнение в виде напыленных R), конденсаторы-С (в основном напыленные), индуктивности (как в виде напыления, так и навесные), диоды (PIN-диоды, диоды шотки, СВЧ-диоды, диоды Гана), СВЧ-транзисторы.

Электрические характеристики ЭРЭ описываются в виде S-матриц (или иным способом) и вместе с конструктивными параметрами хранятся в БД ЭРЭ (САПР МПЛ).

Поскольку различные конфигурации топологии (печатных проводников) на МПЛ обладают различными электрическими характеристиками, то наиболее типовые формы называются базовыми элементами (БЭ). Их электрические характеристики описываются в виде  S-матриц (или иным способом) и вместе с конструктивными параметрами в БД БЭ (САПР МПЛ). При этом, конструктивные параметры задаются в виде формальных параметров, при обращении к конкретному типу БЭ (в БД БЭ), и затем с реальными конструктивными параметрами происходит пересчет электрических характеристик данного БЭ. В настоящее время выделено и описано математически более 80-ти типовых БЭ, используемых на МПЛ-платах. Это: отрезок линии, скачок ширины, поворот без «зеркала», поворот с «зеркалом», плавный трансформатор сопротивлений, кольцевой делитель, направленный ответвитель Ланге, фильтр на связанных линиях и т. д. (рис. 37).

Таким образом в САПР МПЛ имеются две исходные базы данных:

1. БД ЭРЭ

2. БД БЭ

Причем в каждой БД элементы описаны не только конструктивно, но и математически описаны их электрические характеристики .

База данных (БД) здесь создается по каждому типу базового элемента (БЭ), используемого в топологии МПЛ: отрезок линии, поворот, трансформатор сопротивлений и т. д. В отличии от САПР плат, здесь появляется дополнительный этап в проектировании: расчет электрических характеристик МПЛ-устройства и его параметрическая оптимизация.

После этапа ручного размещения ЭРЭ и ручной разработки эскиза  топологии МПЛ-платы, с помощью САПР МПЛ выполняется моделирование данной МПЛ-схемы с расчетом результирующих электрических характеристик (всей МПЛ-схемы), в том числе: АЧХ, ФЧХ, К.С.В., затухание (с любого входа на любой МПЛ-схеме). По результатам расчета пользователь САПР МПЛ (разработчик устройства) меняет топологию МПЛ-платы и повторяет расчет в САПР МПЛ. Такие пошаговые изменения топологии и последующий расчет в САПР МПЛ продолжается до достижения пользователем желаемых характеристик МПЛ-устройства (интерактивный режим параметрической оптимизации - см. рис. 38).