Парамет­ры биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером, страница 6

          Как и в схеме с ОБ, -параметры наиболее просто определить по статическим характеристикам транзистора, заменив частные производ­ные токов и напряжений конечными малыми приращениями. Параметры  и  определяются по входным ВАХ, a  и  — по выходным (рис.6).

          Порядок определения -параметров следующий:

1. Выбирается рабочая тока А(, ) и наносится на входные и выход­ные характеристики.

2.  На входных ВАХ в окрестностях рабочей точки задается некоторое

приращение напряжения  и определяется соответ­ствующее ему приращение тока  при постоянном напряжении . Тогда входное сопротивление транзистора

.                                                                                                               ,                                              (5-50 кОм) .

         3. При постоянном токе базы  задается приращение напряжения  и определяется получившееся при этом приращение напряжения . Тогда коэффициентобратной связипо напряжению

                                                                         ,                                        (10^-4-10^-3)                                 

Рис. 6.       Определение -параметров по статическим характери­стикам.

4. На выходных ВАХ в окрестностях рабочей точки задается некоторое приращение тока коллектора  и определяется соответ­ствующее ему приращение напряжения  при постоянном токе  . Тогда выходная проводимость транзистора

                                  ,                                        (10^-6 – 10^-4  См).