Парамет­ры биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

1. ЦЕЛЬРАБОТЫ.

Снять статическиехарактеристики и определить основные парамет­ры биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

2. КРАТКИЕТЕОРЕТИЧЕСКИЕСВЕДЕНИЯ.

Для транзистора, включенного по схеме с ОЭ, входным током слу­жит ток базы, а выходным, как и в схеме с ОБ, ток коллектора. Процесс

управления током транзистора в схеме с ОЭ можно представить следующим образом: при увеличении тока базы, , растет положительный заряд дырок вбазе, но поскольку база должна остаться нейтральной, снижается по­тенциальный барьер эмиттерного перехода, увеличивается диффузия дырок из базы вэмиттер и большой поток электронов прохо­дит навстречу из эмиттера вбазу идалее воб­ласть коллектора, образуя токколлектора, I_к.

         ,   а   ,    тогда   ,

                     или    ,  тогда    .

                                            ,                                                    (1)                    

где  - коэффициент передачи тока базы в схеме с ОЭ;

       — обратный ток коллекторного перехода в

                                                    схеме с ОЭ при .

            Можно получить выражение для  через токи:

             ,   тогда  ,

                          .                                                                  (2)

            Поскольку коэффициент  близок к единице,  и может

в современных транзисторахдоходить до нескольких тысяч.

             В соответствиис уравнением (1)ток коллектора состоит из управ­ляемой составляющей , зависящей от входноготока, и неуправляемой
. Неуправляемаясоставляющая коллекторноготока в
разбольше, чем всхеме с ОБ.Причина заключается в том, чтоток  является­ однойиз составляющих базового входноготока, усиливаемого
транзистором в  раз при его включении с ОЭ.Это существенный недостаток схемыс ОЭ.Достоинство этойсхемы - этоее значительно боль­-
шее входное сопротивление чем схемы с ОБ. При одинаковыхвходных

напряжениях, , входной токв схеме сОЭ значительноменьше чем в схемес ОБ,  и будет значительно больше.

                Коллекторный переход в активном режиме работы транзистора смещен в обратном направлении и при достаточно высоких значениях обратного напряжения  в ОПЗ коллектора возможно лавинное умно­жение носителей заряда. Вэтом случае