1. ЦЕЛЬРАБОТЫ.
Снять статическиехарактеристики и определить основные параметры биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
2. КРАТКИЕТЕОРЕТИЧЕСКИЕСВЕДЕНИЯ.
Для транзистора, включенного по схеме с ОЭ, входным током служит ток базы, а выходным, как и в схеме с ОБ, ток коллектора. Процесс
управления током транзистора в схеме с ОЭ можно представить следующим образом: при увеличении тока базы, , растет положительный заряд дырок вбазе, но поскольку база должна остаться нейтральной, снижается потенциальный барьер эмиттерного перехода, увеличивается диффузия дырок из базы вэмиттер и большой поток электронов проходит навстречу из эмиттера вбазу идалее вобласть коллектора, образуя токколлектора, Iк.
, а , тогда ,
или , тогда .
, (1)
где - коэффициент передачи тока базы в схеме с ОЭ;
— обратный ток коллекторного перехода в
схеме с ОЭ при .
Можно получить выражение для через токи:
, тогда ,
. (2)
Поскольку коэффициент близок к единице, и может
в современных транзисторахдоходить до нескольких тысяч.
В
соответствиис уравнением (1)ток коллектора состоит из управляемой составляющей , зависящей от входноготока,
и неуправляемой
. Неуправляемаясоставляющая коллекторноготока в
разбольше, чем всхеме с ОБ.Причина заключается в том, чтоток является однойиз составляющих
базового входноготока, усиливаемого
транзистором
в раз при его включении с ОЭ.Это
существенный недостаток схемыс ОЭ.Достоинство этойсхемы - этоее значительно боль-
шее входное сопротивление чем схемы
с ОБ. При одинаковыхвходных
напряжениях, , входной токв схеме сОЭ значительноменьше чем в схемес ОБ, и будет значительно больше.
Коллекторный переход в активном режиме работы транзистора смещен в обратном направлении и при достаточно высоких значениях обратного напряжения в ОПЗ коллектора возможно лавинное умножение носителей заряда. Вэтом случае
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.