Парамет­ры биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером, страница 4

Рис. 3.        Выходные ВАХ реального транзистора в схеме с ОЭ.

При положительном токе базы выходная ВАХ в соответствии с уравнением (9) смещается вверх на величину ’. Соответственно выше идутхарактеристики при больших токах базы ”, ”’ и т.д. Характеристи­ки имеют заметнобольший наклон чем выходныеВАХ в схеме с ОБ, таккак коэффициент  сильней зависитот напряжения  чем коэффициент . Пусть  изменяется отнекоторого значения  до, то есть приблизительно на 5%. Тогда , а , то есть  изменяется более чем на 100%

Коэффициент  также значительнозависит от тока эмиттера,а значит и оттока коллектора ирасстояниепо вер­тикалимежду характеристиками при одинаковых приращениях тока базы не остается постоянным, вначале оно возрастает,а затем уменьшается.

       Выходные ВАХ транзистора с ОЭ не пересекают ось ординат и полностью расположены в первом квадранте координатной плоскости. Этоопределяет­ся соотношением . При  , а при      напряжение  становится положительным и транзистор пе­реходит в режим насыщения. Чем больше ток базы, тем больше  и  сдвигается вправо. При  и  на коллекторе существует обратное напряжение  порядка нескольких десятых вольта, то есть при положительных токах базы характеристики не выходят из начала ко­ординат.   Используя   уравнения   Эберса-Молла   можно   найти, что

. Это напряжение должно иметь такую величину, чтобы

создаваемый им ток инжекции коллекторного перехода полностью ком­пенсировал ток инжекции эмиттерного перехода, доходящий до коллек­торного перехода, чтобы суммарный ток коллектора стал равен нулю. Для учета наклона характеристик к оси абсцисс в активном режиме в уравнение выходной ВАХ можно ввести дополнительное слагаемое:

                                                                                      (10)

где  - усредненное дифференциальное сопротивление коллекторного перехода в схеме с ОЭ.