Парамет­ры биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером, страница 5

Рис. 4.        Выборрабочего режима транзистора.

Семейство выходных ВАХ используетсядня выбора рабочего режи­ма транзистора,когда в цепи коллекторавключается сопротивление на­грузки  (рис.4). — уравнение нагрузочной характеристики. Это уравнение прямой линии,которую можно построитьпо двум точкам:

при  , а при  . При заданном токе ’  точка

пересечения А линии нагрузки с соответствующей характеристикой  есть рабочая точка, определяющая значения ’ и ’  для   выбранного ре­жима транзистора, а также падение напряжения на нагрузке ’.

Температурный дрейф характеристик в схеме с ОЭ можно оценить следующим образом. Уравнение выходной ВАХ:  при =const. Изменение тока коллектора: .

          Так как , то

               .

           Относительное изменение тока коллектора:

           .

           Поскольку         ,

           то

 .                  (11)

             Как следует из выражения (11), температурный дрейф выходных ха­рактеристик в схеме с ОЭ в  раз больше,чем в схеме с ОБ. Таким об­разом выходные ВАХ в схеме с ОЭ отличаются сильной зависимостью от температуры. Это серьезный недостатоксхемы с ОЭ. Здесь необходимо применятьспециальные меры для температурной стабилизации рабочей точки в отличии от схемы с ОБ.

 Входнойток в схеме с ОЭ — это ток базы, который состоит из двух составляющих:прямой  и обратной . Увеличение температу­ры вызываетрост как прямого, так и обратного токов базы, поэтому входныехарактеристики в схеме с ОЭ пересекаются. Они имеют значи­тельно меньший температурный дрейф, чем выходные характеристики. Всвязи с этим для температурнойстабилизации рабочей точки транзисторарекомендуется работатьпри постоянном напряжении . Зависимость ВАХ транзисторав схеме с ОЭ от температурыпоказана нарис.5.

При включении транзисторано схеме с ОЭ уравнения четырехпо­люсникаможнозаписать следующим образом:

Рис. 5.        Зависимость ВАХ транзистора в схеме с ОЭ от темпе­ратуры.

  или  ,                    (12)

где  и  – малые амплитуды переменных составляющих токов и напряжений транзистора