Парамет­ры биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером, страница 2

                               ,                                      (3)

все токи через переход умножаются в М раз, где

 - коэффициент лавинного умножения 

                                                              носителей заряда.

                     ,                                                                (4)

где b=3 для p-Si и n-Ge, и b=5 для p-Ge и n-Si. При  .

Коэффициент передачи тока эмиттера при наличии лавинного умножения носителей заряда в коллекторном переходе равен

            ==/1-ⁿ,                                                (5)

где n=3 для n-p-n-Si и p-n-p-Ge, и n=5 для p-n-p-Si и n-p-n-Ge.

При некотором напряжении   значение . Тогда из уравнения (5) можно найти значение :

                 тогда  ,

         ,                                                        (6)

где  - коэффициент передачи тока базы при М=1.

          С учетом лавинного умножения . При     ,

а . Физически это связано стем, что при  ток, связанныйс лавинным умножением носителей заряда, полностью покрываетпотери электроновпри их инжекции и рекомбинации. При этом, если в транзи­сторе с ОЭ задан ток базы, , топри приближениинапряжения  к ,ток коллектора . Поэтому напряжение  практически является напряжениемпробоя транзисторав схеме с ОЭ, . Зависимости коэффициентов передачитока транзисторас учетом лавинного умножения носителей заряда в коллекторном переходе от напряжения  показаны па рис. 1.