Технологический процесс изготовления тонкопленочной ГИС.
1. Входной контроль ситалловых подложек.
1.1. Извлечь подложку из упаковки, поместить на смотровой столик микроскопа МБС-9, установить увеличение в 350 раз.
1.2. Произвести визуальный обзор качества поверхности, при обнаружении дефектов произвести отбраковку.
1.3 Изделие, прошедшее контроль поместить в тару для транспортировки
Оборудование: Микроскоп МБС-9 ТУ 3–3.201-71
Вспомогательная оснастка: Пинцет МН 500-60, тара для транспортировки УЭ 7893-4411.
2. Очистка подложек.
2.1. Промыть пластины в растворе стирального порошка используя ватный тампон.
2.2. Промывать проточной дистиллированной водой в течение 1 мин.
2.3. Поместить в моющий раствор (насыщенный раствор хромового ангидрида в концентрированной азотной кислоте, выдерживают в течение одного часа).
2.4. Промывать проточной дистиллированной водой в течении 1мин.
2.5. Сушить в термостате при температуре 120ºС до исчезновения следов влаги.
2.6. Контролировать одну подложку из партии на смачиваемость.
Оборудование: установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-1 92М2.250.00Ф, вытяжной шкаф 2ШНЖ.ТУ 95.7028-73, микроскоп МБС-9 ТУ 3–3.201-71, дистиллятор Д-4.
Инструмент: пинцет МН 500-60
Оснастка: фторопластовая кассета для подложек УЭ 7893-4411, стаканы ГОСТ 7148-70, ванны для отмывки УЭ 7893-4380.
Материалы: спирт этиловый ГОСТ 18300-72, дистиллированная вода ГОСТ 6709-72, хромовый ангидрид, азотная кислота ГОСТ 4461-67, стиральный порошок ГОСТ 10447-75, вата ГОСТ 8474-80, фильтры бумажные ТУ 6-09-1678-72Н1, перчатки резиновые ГОСТ 3-75.
3. Изготовление резистивного слоя.
3.1. Вакуумное термическое напыление.
3.1.1. Изготовить испаритель для материала Кермет К-50С из 4-х вольфрамовых проволок.
3.1.2. Включить установку согласно инструкции эксплуатации.
3.1.3. Поднять колпак.
3.1.4. Установить испаритель для материала Кермет К-50С (испаритель в виде 4-х вольфрамовых проволок)
3.1.4.1. Опустить колпак.
3.1.4.2. Рабочую камеру откачать до рабочего вакуума 1·10-5 мм. рт. ст. согласно инструкции эксплуатации установки
3.1.4.3. Произвести отжиг испарителя при максимальном токе в течении одной минуты
3.1.4.4. Студить рабочую камеру в течение часа до Т = 70оС при открытом затворе
3.1.4.5. Закрыть затвор, и студить до Т = 40оС, затем выключить установку согласно инструкции эксплуатации ВТ-установки, поднять колпак.
3.1.5. Поместить навеску испаряемого материала на испаритель.
3.1.6. Поместить подложки в подложкодержатель установить свидетель, по месту крепления установить датчик температуры, непосредственно на подложкодержатель.
3.1.7. Проверить колпак и станину и при необходимости удалить соринки
3.1.8. Опустить колпак
3.1.9. После прогрева паромасленного насоса произвести откачку рабочей камеры на форвакуум, придостижении вакуума в системе порядка 5·10-3 мм. рт. ст. приступить к откачке на высокий вакуум, через одну минуту включить нагреватель подложек, и откачивать до рабочего вакуума 1·10-5 мм. рт. ст. с одновременным прогревом подложек и подколпачного устройства до Т = 200оС.
3.1.10. Включить ток на испаритель постепенно увеличивая его значение, включить вибробункер, открыть заслонку.
3.1.11. Произвести напыление резистивного слоя, значение сопротивления отслеживать по свидетелю.
3.1.12. Студить рабочую камеру в течение часа до Т = 80оС.
3.1.13. Закрыть затвор, выключить диффузионный насос, через час выключить установку, согласно инструкции по эксплуатации.
3.1.14. Поднять колпак.
3.1.15. Извлечь подложки из установки.
Оборудование: Вакуумная установка УВН2М1 НТО 599.000, омметр.
Инструмент: ключи, плоскогубцы ГОСТ 5547-52, отвертки ГОСТ 17199-71, пинцет МН 500-60, ножницы РСТРСФСР 145-77.
Оснастка: тара для транспортировки и хранения УЭ 7893-4411, подложкодержатель УН 7888-4829, датчик сопротивления (свидетель) УЭ 7893-4263, испарители УЭ 132-203.
Материалы: кермет К-50С ЕТО.021.013 ТУ, вольфрамовая проволока ВМ, этиловый спирт ГОСТ 1830-72, вата ГОСТ 8474-80, резиновые перчатки ГОСТ 3-75.
3.2. Фотолитография
3.2.1. Поместить подложку на столик центрифуги.
3.2.2. Нанести фоторизист, скорость вращения центрифуги 2000 об/мин, время вращения одна минута.
3.2.3. Повторить операцию для всех пластин.
3.2.4. Сушить подложки в термостате в течение 15 мин, при Т = 90оС.
3.2.5. Совместить подложку с фотошаблоном , экспонировать в течении 1 мин.
3.2.6. Проявить в растворе, 2% Na3PO4, 98% H2O дистиллированной, до полного проявления, но не более 3 мин.
3.2.7. Быстро промыть под проточной дистиллированной водой.
3.2.8. Произвести контроль качества проявки под микроскопом. При необходимости можно допроявить.
3.2.9. Дубить фоторезистивную маску в термостате при Т = 120оС в течение 5 мин.
3.2.10. Произвести травление пленки в травителе НF – 5мл, HNO – 35мл, Н2О – 60мл.
3.2.11. Затем промыть дистиллированной водой, сушить при комнатной температуре.
3.2.12. Проверка качества, при необходимости повторить операцию для дефектных участков.
3.2.13. Смыть фоторезистивную маску в диаксане, проверить качество удаления маски фоторезиста, при необходимости повторить операцию.
3.2.14. Провести окончательную очистку подложки. Поместить подложку в посуду с этиловым спиртом, кипятить 1 мин, сушить в парах спирта.
3.2.15. Контроль качества визуально под микроскопом каждой подложки
Оборудование: полуавтомат по нанесению фоторезиста ПФН-1, установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-1, установка совмещения и экспонирования ЭМ-526 92М2.250.00Ф, вытяжной шкаф 2ШНЖ.ТУ 95.7028-73, дистиллятор Д-4, микроскоп МБС-9 ТУ3-3.201-71, электрическая плитка ЭПК-7А ГОСТ 306-76, омметр
Оснастка: термостойкая химическая посуда для операций проявления фоторезиста УЭ 7893-4381, промывки и межоперационных операций, фторопластовая ванна для травления УЭ 7893-4380, кассеты УЭ 7893-4411, фотошаблон
Материалы: фоторизист ТУ 6-14-631-71, травитель НF – 5мл ГОСТ 10484-73, HNO3 – 35мл ГОСТ 4461-67, Н2О – 60мл ГОСТ 6709-72, р-р 2% Na3PO4, 98% H2O ГОСТ 6709-72, спирт этиловый ГОСТ 10477-75, дистиллированная вода ГОСТ 6709-72, вата ГОСТ 8474-80, фильтры бумажные ТУ 6-09-1678-72Н1, перчатки резиновые ГОСТ 3-75.
4. Изготовление нижних обкладок конденсаторов.
4.1. Вакуумное термическое напыление.
4.1.1. Изготовить испаритель для Сr в виде корзиночки из молибденовой ленты, для Аl проволочный испаритель из 6-и вольфрамовых проволочек в форме корзиночки с медным контактом.
4.1.2. Включить установку согласно инструкции эксплуатации.
4.1.3. Поднять колпак.
4.1.4. Установить испарители для Cr и Al .
4.1.4.1. Опустить колпак.
4.1.4.2. Рабочую камеру откачать до рабочего вакуума 1·10-5 мм. рт. ст. согласно инструкции эксплуатации установки
4.1.4.3. Произвести отжиг испарителей. Испаритель из вольфрама установить в нужное положение при помощи рукоятки. Включить ток через испаритель и производить отжиг при максимальном токе в течении 2 минут, следующий испаритель из вольфрама установить в нужное положение при помощи рукоятки. Включить ток через испаритель и производить отжиг при максимальном токе в течении 2 минут, испаритель из молибденовой ленты установить в рабочее положение и производить отжиг при максимальном токе в течении 2 минут.
4.1.4.4. Студить рабочую камеру в течение часа до Т = 70оС при открытом затворе.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.