Технологический процесс изготовления тонкопленочной гибридной интегральной микросхемы, страница 3

5.1.9  Откачать и прогреть рабочую камеру;

5.1.10 При достижении под колпаком вакуума 2,2·10^-5 мм.рт.ст. произвести напыление;

5.1.11 При токе 320А напылить пленку хрома, толщину которой контролировать по свидетелю;

5.1.12 Повернуть карусель с испарителями;

5.1.13 При токе 400А напылить пленку алюминия;

5.1.14 Прогрев подколпачного устройства и подложек продолжать еще 10 минут, после чего нагрев выключается, колпак остужается в течение 1 часа, затем установку можно выключить;

5.2  Фотолитография технологических перемычек:

5.2.2  Установить скорость центрифуги 4000 об/мин. Время вращения одна минута. Согласно инструкции по эксплуатации;

5.2.3  Поместить подложку на столик центрифуги;

5.2.4  Включить вакуумный прижим;

5.2.5  Нанести каплю фоторезиста ФП-9120-1 на подложку;

5.2.6  Включить вращение центрифуги;

5.2.7  Поместить пластину в сушильную камеру  (Т=90⁰C, время 15 мин.);

5.2.8  Поместить пластину на столик установки совмещения экспонирования;

5.2.9  Произвести установку фотошаблона  в шаблонодержатель согласно с инструкцией по эксплуатации;

5.2.10  Произвести совмещение изображения фотошаблона с подложкой согласно с инструкцией по эксплуатации;

5.2.11  Произвести экспонирование рисунка фотошаблона на подложку (время экспонирования 180 сек.);

5.2.12  Поместить пластину в посуду с проявителем (состав проявителя: 2% раствор Na₃PO₄ в дистиллированной воде);

5.2.13  Проявлять в течении времени, необходимого для проявления, но не более 3 мин.;

5.2.14  Контролировать качество проявления визуально под микроскопом МБС-9. В случае необходимости произвести ретушь или допроявление;

5.2.15  Поместить пластину в термостат, дубить в течение 5 мин при Т=120⁰С;

5.2.16  Контролировать качество травления визуально под микроскопом МБС-9. При необходимости произвести повторное травление;

5.2.17  Удалить фоторезистивную маску в диаксане;

5.2.18  Промыть дистиллированной водой в течение 1 мин.;

5.2.19  Сушить подложку на центрифуге;

5.2.20  Контролировать качество удаления фоторезиста визуально под микроскопом МБС-9;

5.2.21  При необходимости повторить операцию удаления фоторезиста;

5.2.22  Поместить подложки в тару для хранения и транспортировки

5.3  Электрохимическое анодирование:

5.3.2  Подложку  поместить в штатив, подключенный к источнику тока;

5.3.3  Поместить штатив в посуду с электролитом (лимонная кислота);

5.3.4  Окислить подложку на глубину 0.2 мкм

5.4  Травление технологических перемычек:

5.4.2  Поместить подложку в посуду с раствором H₃ PO₄ (95 мл), HNO₃ (5 мл) при Т = 40^оС.[А.А.1] 

5.4.3  Травить до полного удаления Al с незакрытой фоторезистом поверхности;

5.4.4  Промыть дистиллированной водой;

5.4.5  Поместить подложку в посуду с раствором HCl (62 мл), H₂O (50 мл) и присадка Zn стержень.[А.А.2] 

5.4.6  Травить до полного удаления Cr с незакрытой фоторезистом поверхности;

5.4.7  Промыть дистиллированной водой;

5.4.8  Поместить в сушильную камеру (Т=90⁰C, время 15 мин.);

5.4.9  Контролировать качество травления визуально под микроскопом МБС-9. При необходимости произвести повторное травление;

5.4.10  Удалить фоторезистивную маску в диаксане;

5.4.11  Промыть дистиллированной водой в течение 1 мин.;

5.4.12  Сушить подложку на центрифуге;

5.4.13  Контролировать качество удаления фоторезиста визуально под микроскопом МБС-9;

5.4.14  При необходимости повторить операцию удаления фоторезиста;

5.4.15  Поместить подложки в тару для хранения и транспортировки

Оборудование: полуавтомат по нанесению фоторезиста ПФН-1, установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-1, установка совмещения и экспонирования ЭМ-526 92М2.250.00Ф, вытяжной шкаф 2ШНЖ.ТУ 95.7028-73, дистиллятор Д-4, микроскоп МБС-9 ТУ3-3.201-71, электрическая плитка ЭПК-7А ГОСТ 306-76, омметр

Инструмент: пинцет МН 500-60

Оснастка: термостойкая химическая посуда для операций проявления фоторезиста УЭ 7893-4381, промывки и межоперационных операций, фторопластовая ванна для травления УЭ 7893-4380, кассеты УЭ 7893-4411, фотошаблон

Материалы: фоторезист ФП-9120-1 ТУ 6-14-631-71, травители р-р H₃ PO₄ (95 мл), HNO₃ (5 мл) при Т = 40^оС ГОСТ 4461-67, р-р  HCl (62 мл) ХЧ ГОСТ 3118-77, H₂O (50 мл) и присадка Zn стержень ГОСТ 6709-72, проявитель р-р 2% Na₃PO₄ ГОСТ 4328-77, 98% H₂O ГОСТ 6709-72, спирт этиловый ГОСТ 18300-72, дистиллированная вода ГОСТ 6709-72, вата ГОСТ 8474-80, фильтры бумажные ТУ 6-09-1678-72Н1, перчатки резиновые ГОСТ 3-75.

6.Изготовление верхних обкладок конденсаторов.

6.1. Вакуумное термическое напыление.

6.1.1. Изготовить испаритель для Сr в виде корзиночки из молибденовой ленты, для А.l проволочный испаритель из 6-и вольфрамовых проволочек в форме корзиночки с медным контактом, для Ni проволочный испаритель из 4-х вольфрамовых проволочек в форме корзиночки с медным контактом

6.1.2. Включить установку согласно инструкции эксплуатации.

6.1.3. Поднять колпак.

6.1.4. Установить испарители для Cr и Al, для Ni.

6.1.4.1. Опустить колпак.

6.1.4.2. Рабочую камеру откачать до рабочего вакуума 1·10^-5  мм. рт. ст. согласно инструкции эксплуатации установки

6.1.4.3. Произвести отжиг испарителей. Испаритель из вольфрама установить в нужное положение при помощи  рукоятки.  Включить ток через испаритель и производить отжиг при максимальном токе в течении 2 минут, испаритель из вольфрама установить в нужное положение при помощи  рукоятки,  включить ток через испаритель и производить отжиг при максимальном токе в течении 2 минут, испаритель из молибденовой ленты установить в рабочее положение и производить отжиг при максимальном токе в течении 2 минут.