Технологический процесс изготовления тонкопленочной гибридной интегральной микросхемы, страница 2

4.1.4.5. Закрыть затвор, и студить до Т = 40оС, затем выключить установку согласно инструкции эксплуатации ВТ-установки, поднять колпак.

4.1.5. Поместить на испаритель из хрома навеску Cr, затем повернуть карусель и на испаритель из вольфрама поместить навеску Аl.

4.1.6. Поместить подложки в подложкодержатель установить свидетель, по месту крепления установить датчик температуры, непосредственно на подложкодержатель.

4.1.7. Проверить колпак и станину и при необходимости удалить соринки.

4.1.8. Опустить колпак.

4.1.9. После прогрева паромасленного насоса произвести откачку рабочей камеры на форвакуум, придостижении вакуума в системе порядка 5·10-3 мм. рт. ст. приступить к откачке на высокий вакуум, через одну минуту включить нагреватель подложек, и откачивать до рабочего вакуума 1·10-5 мм. рт. ст. с одновременным прогревом подложек и подколпачного устройства до Т = 200оС.

4.1.10. Включить ток на первый испаритель постепенно увеличивая его значение, открыть заслонку.

4.1.11. Произвести напыление слоя Сr, значение сопротивления отслеживать по свидетелю, закрыть заслонку, выключить ток на испаритель.

4.1.12. С помощью ручки повернуть карусель, установив в рабочее положение второй испаритель. Включить ток на второй испаритель постепенно увеличивая его значение, открыть заслонку.

4.1.13. Произвести напыление слоя Аl, значение сопротивления отслеживать по свидетелю, закрыть заслонку, выключить ток на испаритель.

4.1.14. Студить  рабочую камеру в течение часа до Т = 80оС.

4.1.15. Закрыть затвор, выключить диффузионный насос, через час выключить установку, согласно инструкции по эксплуатации.

4.1.16. Поднять колпак.

4.1.17. Извлечь подложки из установки, при необходимости поместить в специальную тару.

Оборудование: Вакуумная установка УВН2М1 НТО 599.000, омметр.

Инструмент: ключи, плоскогубцы ГОСТ 5547-52, отвертки ГОСТ 17199-71, пинцет МН 500-60, ножницы РСТРСФСР 145-77.

Оснастка: тара для транспортировки и хранения УЭ 7893-4411, подложкодержатель УН 7888-4829, датчик сопротивления (свидетель) УЭ 7893-4263, испарители УЭ 132-203.

Материалы: Cr ГОСТ 12766-67, Al ГОСТ 11069-84, молибденовая лента ФЫПС 471.00.000МК, вольфрамовая проволока ВМ, медная трубка, этиловый спирт ГОСТ 1830-72, вата ГОСТ 8474-80, резиновые перчатки ГОСТ 3-75.

4.2. Фотолитография

4.2.1. Поместить подложку на столик центрифуги.

4.2.2. Нанести фоторизист, скорость вращения центрифуги 2000 об/мин, время вращения одна минута.

4.2.3. Повторить операцию для всех пластин.

4.2.4. Сушить подложки в термостате в течение 15 мин, при Т = 90оС.

4.2.5. Совместить подложку с фотошаблоном, экспонировать в течение 1 мин.

4.2.6. Проявить в растворе 2% Na3PO4, 98% H2O дистиллированной, до полного проявления, но не более 3 мин.

4.2.7. Быстро промыть под проточной дистиллированной водой.

4.2.8. Произвести контроль качества проявки под микроскопом. При необходимости можно допроявить.

4.2.9.  Дубить фоторезистивную маску в термостате при Т = 120оС в течение 5 мин.

4.2.10. Произвести травление пленки Al в р-е H3 PO4 (95 мл), HNO3 (5 мл) при Т = 40оС.

4.2.11. Затем промыть дистиллированной водой, сушить при комнатной температуре.

4.2.12. Проверка качества, при необходимости повторить операцию для дефектных участков.

4.2.13. Произвести травление пленки Cr в р-е HCl (62 мл), H2O (50 мл) и присадка Zn стержень. 

4.2.14. Затем промыть десятилированноай водой, сушить при комнатной температуре.

4.2.15. Проверка качества, при необходимости повторить операцию для дефектных участков.

4.2.16.  Смыть фоторезистивную маску в диаксане, проверить качество удаления маски фоторезиста, при необходимости повторить операцию.

4.2.17. Провести окончательную очистку подложки. Поместить подложку в посуду с этиловым спиртом, кипятить  1 мин, сушить в парах спирта.

4.2.18. Контроль качества визуально под  микроскопом каждой подложки.

Оборудование: полуавтомат по нанесению фоторезиста ПФН-1, установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-1, установка совмещения и экспонирования ЭМ-526 92М2.250.00Ф, вытяжной шкаф 2ШНЖ.ТУ 95.7028-73, дистиллятор Д-4, микроскоп МБС-9 ТУ3-3.201-71, электрическая плитка ЭПК-7А ГОСТ 306-76, омметр

Инструмент: пинцет МН 500-60

Оснастка: термостойкая химическая посуда для операций проявления фоторезиста УЭ 7893-4381, промывки и межоперационных операций, фторопластовая ванна для травления УЭ 7893-4380, кассеты УЭ 7893-4411, фотошаблон

Материалы: фоторезист ТУ 6-14-631-71, травители р-р H3 PO4 (95 мл), HNO3 (5 мл) при Т = 40оС ГОСТ 4461-67, р-р  HCl (62 мл) ХЧ ГОСТ 3118-77, H2O (50 мл) и присадка Zn стержень ГОСТ 6709-72, проявитель р-р 2% Na3PO4 ГОСТ 4328-77, 98% H2O ГОСТ 6709-72, спирт этиловый ГОСТ 18300-72, дистиллированная вода ГОСТ 6709-72, вата ГОСТ 8474-80, фильтры бумажные ТУ 6-09-1678-72Н1, перчатки резиновые ГОСТ 3-75.

5. Получение диэлектрического слоя конденсаторов:

5.1. Напыление слоя Cr-Al для технологических перемычек:

5.1.1. Подложку отмыть моющим раствором (насыщенный раствор хромового ангидрида в концентрированной азотной кислоте) в течение 1 часа;

5.1.2  Промыть дистиллированной водой;

5.1.3  Высушить в термостате (Т=120°);

5.1.4  Подготовить установку для напыления;

5.1.5  Загрузить навески металлов в испарители (хром – в ленточный испаритель из молибдена, алюминий – в проволочный испаритель из 6-и вольфрамовых проволочек в форме корзиночки с медным контактом);

5.1.6  Установить подложку в подложкодержателе подколпачного устройства;

5.1.7  Установить свидетель;

5.1.8  Настроить датчики температуры и сопротивления;