7.3.4. Произвести травление Al в растворе: H3PO4:Н2О (6:4).
7.3.5. Промыть проточной дистиллированной водой.
7.3.6. Проконтролировать качество травления визуально под микроскопом.
7.3.7. Произвести травление Cr в растворе: кислота соляная – HCl с присадкой цинка.
7.3.8. Промыть проточной дистиллированной водой.
7.3.9. Проконтролировать качество травления визуально под микроскопом.
7.3.10. Удалить фоторезистивную маску в диоксане.
7.3.11. Промыть дистиллированной водой в течение 1 мин.
7.3.12. Контролировать качество удаления фоторезиста визуально под микроскопом.
7.3.13. При необходимости повторить операцию удаления фоторезиста.
7.3.14. Провести окончательную очистку подложки. Поместить подложку в посуду с этиловым спиртом, кипятить 1 мин, сушить в парах спирта.
7.3.15. Поместить подложки в тару для хранения и транспортировки.
Оборудование, технологическая оснастка и инструмент:
Микроскоп тип МБС-1 (ТУ3-3.201-71), полуавтомат нанесения фоторезиста ПНФ – тип “Корунд”, рамка экспонирования (УЭ 7893-4057), установка совмещения и экспонирования ЭМ-526 (Я2М2.252.005ФО), противень для подложек (УЭ 7878-4139), державка подложек (УЭ 7893-4060), установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-1, шкаф вытяжной 2ШНЖ (ТУ 95.7028-73), термометр ртутный стеклянный до 150°С (ГОСТ 9871-75), чашка выпарительная (ГОСТ 91417-73), микроскальпель (УЭ 7814-4068), секундомер (ГОСТ 5072-72), кассета для подложек (УЭ 7893-4411), пинцет 7814-0001 (МН 500-60), фторопластовая ванна для травления (УЭ 5682-4694), тара для подложек (УЭ 7878-4229).
Материалы:
Фоторезист ФП-9120 (ТУ 6-14-632-76), фильтры обеззоленные “Синяя лента” (ТУ 6-09-1678-72), диоксан сцинтилляционный (ГОСТ 10455-75), батист отбеленный безворсированный 1402 1с (ГОСТ 8474-64), спирт этиловый ректифицированный 1 сорт (ГОСТ 5962-67), ацетон (ГОСТ 2603-71), вода дистиллированная (ГОСТ 6709-72), перчатки хирургические (ГОСТ 3-75), напальчники (ГОСТ 14681-69), HNO3 (ГОСТ 4461-67), HCl (ГОСТ 3118-77), присадка Zn стержень (ГОСТ 6709-72), Na3PO4 (ГОСТ 4328-77).
1 Общие положения.
1.13. При работе с подложками пользоваться напальчниками, которые периодически протирать мадаполамом, смоченным спиртом.
1.14. Подложки брать только за торцы.
1.15. Режимы технологического процесса записывать в рабочий журнал.
1.16. Допускается использование другого оборудования, приборов, оснастки и тары, удовлетворяющих требованиям данной технологической инструкции.
2 Порядок контроля подложек.
2.1. Произвести очистку подложек, для чего кипятить подложки, установленные в кассету, в спирте на подогревателе растворов в течение 30 секунд.
2.2. Сушить подложки в парах спирта в течение 30 секунд.
2.3. Сушить подложки струей сжатого воздуха, пропущенного через фильтр “Фасто”.
2.4. Контролировать качество очистки 1 из 10 подложек из партии, для чего проверить подложку на смачиваемость в дистиллированной воде.
2.5. Записать результаты контроля в рабочий журнал.
2.6. Поместить подложки в тару для транспортировки-хранения, и передать подложки на следующую операцию.
Оборудование, технологическая оснастка и инструмент:
Дистиллятор(ГОСТ 7165-66), вытяжной шкаф 2ШНЖ(ТУ 95.1028-73), фильтр “Фасто”(УЭ 7887-4165), установка для сушки сжатым воздухом, подогреватель растворов, пинцет 7814-0001(МН 500-60), тара для подложек(УЭ 7878-4229), кассета фторопластовая(УЭ 7893-4059), ванночка фторопластовая.
Материалы:
Спирт этиловый ректифицированный технический высшего сорта (ГОСТ 18300-72), синтетическое моющее средство Fairy, вода дистиллированная, мадаполам(ГОСТ 7138-73), подложка, напальчники(ГОСТ 14681-69).
1. Нанесение фоторезиста.
1.1. Поместить пластину на столик центрифуги.
1.2. Нанести фоторезист (скорость вращения центрифуги 2000 об/мин, время вращения 1 мин).
1.3. Сушить фоторезистивную пленку в термостате при температуре 90ºС в течении 15 мин.
1.4. Совместить пластину с фотошаблоном.
1.5. Экспонировать в течение 1 мин.
1.6. Проявлять в толуоле до полного проявления, но не более 3 мин.
1.7. Смывать проточной дистиллированной водой.
1.8. Проверить качество проявления под микроскопом, в случае необходимости допроявить.
1.9. Дубить фоторезистивную маску в термостате при температуре 160ºС в течении 15 мин.
2. Сушка слоя фоторезиста.
2.1. Поместить подложки в термошкаф (с температурой 90
50С) стороной без
фоторезиста.
2.2. Сушить подложки в термошкафе в течение 153 минут.
2.3. Извлечь подложки из термошкафа и охладить в течение 103 минут.
2.4. Поместить подложки в кассету.
3. Совмещение и экспонирование слоя фоторезиста.
3.1. Включить установку экспонирования и прогреть ее в течение 10-15 минут.
3.2. Перед совмещением, удалить пыль с эмульсионной стороны фотошаблона и подложки струей сжатого воздуха, пропущенного через фильтр “Фасто”. Неэмульсионную сторону фотошаблона протирать батистом, смоченном в спирте.
3.3. Поместить подложку в приспособление для совмещения и экспонирования на батистовую салфетку.
3.4. Наложить фотошаблон на подложку и совместить рисунок фотошаблона с предыдущим рисунком схемы по реперным знакам под микроскопом. Зафиксировать верхнюю рамку приспособления винтами.
3.5. Экспонировать слой фоторезиста в течение 1205 секунд.
4. Проявление фоторезиста.
4.1. Приготовить раствор проявителя – двухпроцентный раствор натрия фосфорнокислого трехзамещенного. Взвесить на весах 2 гр. Na3PO4, затем навеску растворить в 98 гр. дистиллированной воды в стакане, помешивая раствор стеклянной палочкой.
4.2. Проявить изображение схемы, поместив подложку во фторопластовую ванночку с раствором проявителя. При непрерывном покачивании ванночки, следить за проявлением. Темпиратура раствора комнатная, время проявления 15-20 сек.
4.3. Промыть подложку в потоке дистиллированной воды в течение 1 мин.
4.4.Сушить подложку струей сжатого воздуха, пропущенного через фильтр “Фасто”.
4.5. Провести контроль изображения. Изображение должно быть четким с ровными краями, без разрывов.
5. Термообработка.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.