1 Общие положения.
1.9. При работе с подложками пользоваться напальчниками, которые периодически протирать мадаполамом, смоченным спиртом.
1.10. Подложки брать только за торцы.
1.11. Режимы технологического процесса записывать в рабочий журнал.
1.12. Допускается использование другого оборудования, приборов, оснастки и тары, удовлетворяющих требованиям данной технологической инструкции.
2 Порядок контроля подложек.
2.1. Произвести очистку подложек, для чего кипятить подложки, установленные в кассету, в спирте на подогревателе растворов в течение 30 секунд.
2.2. Сушить подложки в парах спирта в течение 30 секунд.
2.3. Сушить подложки струей сжатого воздуха, пропущенного через фильтр “Фасто”.
2.4. Контролировать качество очистки 1 из 10 подложек из партии, для чего проверить подложку на смачиваемость в дистиллированной воде.
2.5. Записать результаты контроля в рабочий журнал.
2.6. Поместить подложки в тару для транспортировки-хранения, и передать подложки на следующую операцию.
Оборудование, технологическая оснастка и инструмент:
Дистиллятор(ГОСТ 7165-66), вытяжной шкаф 2ШНЖ(ТУ 95.1028-73), фильтр “Фасто”(УЭ 7887-4165), установка для сушки сжатым воздухом, подогреватель растворов, пинцет 7814-0001(МН 500-60), тара для подложек(УЭ 7878-4229), кассета фторопластовая(УЭ 7893-4059), ванночка фторопластовая.
Материалы:
Спирт этиловый 1 сорта (ГОСТ 18300-72), синтетическое моющее средство Fairy, вода дистиллированная, мадаполам(ГОСТ 7138-73), подложка, напальчники(ГОСТ 14681-69).
7.1.1. Включить вакуумную установку в соответствии с инструкцией по её эксплуатации.
7.1.2. Подготовить вакуумную камеру к напылению в соответствии с УЭ.25200.00121.
7.1.3. Установить испарители по месту.
7.1.4. Для первого слоя (Cr) – испаритель из молибденовой ленты.
7.1.5. Для второго слоя (Al)–испаритель из 6-и вольфрамовых проволок.
7.1.6. Для третьего слоя (Ni)–испаритель из 4-х вольфрамовых проволок.
7.1.7. Протереть подложкодержатель батистом, смоченным спиртом и уложить их на столе.
7.1.8. Проверить работу заслонки. Заслонка должна свободно открываться и закрываться.
7.1.9. Опустить колпак.
7.1.10. Откачать рабочую камеру до давления 5·10-5 мм.рт.ст. согласно инструкции по эксплуатации.
7.1.11. Произвести отжиг испарителей при максимальном токе в течение одной минуты.
Студить рабочую камеру в течение часа до Т = 80оС при открытом затворе.
7.1.12. Закрыть затвор, и студить до Т = 50оС, затем разгерметизировать и поднять колпак.
7.1.13. Поместить на первый испаритель Cr, на второй Al, на третий Ni.
7.1.14. Установить подложкодержатель в вакуумную камеру.
7.1.15. Установить и закрепить подложки в подложкодержатель, пользуясь пинцетом.
7.1.16. Установить свидетель по месту крепления.
7.1.17. Установить датчик температуры на подложкодержтель.
7.1.18. Опустить колпак.
7.1.19. Откачать рабочую камеру до давления 5·10-5 мм.рт.ст., включить кварцевый нагреватель, нагреть подложки до t=2000C и подготовить к напылению согласно инструкции по эксплуатации.
7.1.20. Подать ток на молибденовый испаритель, наблюдать через смотровое окно и в момент, когда Cr раскалится до бела открыть заслонку, толщину слоя Cr отслеживаем по свидетелю, при достижении требуемого сопротивления закрыть заслонку.
7.1.21. Передвинуть карусель с испарителем на следующую позицию.
7.1.22. Подать на вольфрамовый испаритель ток, открыть заслонку, напылять Al в течение 1 минуты, закрыть заслонку.
7.1.23. Перевести карусель с испарителем на следующую позицию, т.к. Ni пылится взрывом заслонку открыть заранее.
7.1.24. Выключить все источники питания напылительного блока.
7.1.25. Продолжать нагрев подложки в течении 10 мин., затем выключить нагрев, студить подколпачное устройство до Т=80ºС (при откачке на высокий вакуум).
7.1.26. Студить подколпачное устройство до Т=50ºС на подложке, закрыть затвор, разгерметизировать колпак.
7.1.27. Вынуть подложку, поместить её в специальную тару.
7.1.28. Опустить колпак, откачать воздух из камеры до давления 15-20 делений по термопарному вакуумметру и выключить установку согласно инструкции по её эксплуатации.
Оборудование, технологическая оснастка и инструмент:
Установка вакуумного напыления УВН-71р-3 (УРМ3.279.017), колба типа ПНШ 29250 (ГОСТ 10394-72), пинцет 7814-0001 (МН 500-60), потенциометр П8597-71, тара для подложек (УЭ 7878-4229), подложкодержатель (УЭ 7888-4129), испарители (УЭ 7893-7368), контрольный образец (УЭ 7893-4263), омметр (ГОСТ 4235-80).
Материалы:
Спирт этиловый ректифицированный технический высшего сорта (ГОСТ 18300-72), батист отбеленный безворсированный 1402 1с (ГОСТ 8474-72), молибден ленточный для испарителя (ФЫПС 471.00.000 МК), медная трубка, вольфрамовая проволока для испарителя марки ВМ, перчатки хирургические (ГОСТ 3-75), напальчники (ГОСТ 14681-69), Cr (ГОСТ 12766-67), Al (ГОСТ 11069-84), Ni (ГОСТ 849-70).
7.2.1. Поместить подложку на столик центрифуги.
7.2.2. Включить вакуумный прижим, нанести фоторезист, включить центрифугу, скорость вращения центрифуги 2500 об/мин, время вращения 1 мин.
7.2.3. Повторить операцию для всех пластин.
7.2.4. Поместить пластину в сушильную камеру, сушить подложки в термостате в течение 15 мин, при Т = 90оС.
7.2.5. Совместить подложку с фотошаблоном , экспонировать в течение 1 мин.
7.2.6. Поместить пластину в посуду с проявителем (состав проявителя: 2% раствор Na3PO4 в дистиллированной воде).
7.2.7. Проявлять в течение времени, необходимого для проявления, но не более 3 мин.
7.2.8. Промыть проточной дистиллированной водой.
7.2.9. Проконтролировать качество проявления визуально под микроскопом. В случае необходимости произвести допроявление.
7.2.10. Поместить пластину в термостат, дубить в течение 5 мин при Т=1200С.
7.3.1. Произвести травление Ni в растворе: HNO3:Н2О(1:1).
7.3.2. Промыть проточной дистиллированной водой.
7.3.3. Проконтролировать качество травления визуально под микроскопом.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.