Терминология и классификация РЕА. Тенденция развития конструкций РЭА. Основные требования,предъявляемые к конструкциям РЭА, страница 5

14Проектирование полупроводниковых резисторов ИМС

Сопротивление складывается из сопротивления линейной части

R=Rсл*L/a и сопротивлениепри контактных областях,которая определяется империческим коэффециентом к,выраженным в долях Rсл.    R=Rсл*L/a+2Rсл*к,La-длина и ширина линейной части микрона Rсл-удельная поверхностная сопротивление слоя(ом)к-зависет от формы и размера при контактной областей и ширины а лин части,он определяется по манограмам,размер должен быть минимальным однако следует учитывать возможность технологии и требований точности сопротивления сопротивления с уменьньшение ширины точность уменьшается.Для формирования резисторов могут быть использованы любые слои физич стр-ры ИМС.На практике находят применение резисторы на основе эмиторного слоя(R в несколько десятков Ом)базового слоя от сотен до нескольких тысяч ОМ,слоя активной базы.

18Лигирование методом термической диффузии.

Лигирующая смесь вводится в монокристалл кремния с целью изменения типа проводимости и образов p-n перехода на определенной глубине.Образов p-n перехода происходит если концентрация введенной примеси ≥исходной С увеличением длины концентрация убывает,на практике используют:1диффузия из постоянного внешнего источника 2диффузия из конечного(источника нет но на поверхности имеется концентрация)1случай.Источник вне рабочей камеры,концентрация наставляется к поверхности пластин загот в газообразном состоянии,причем её расход отрегулирунт так,что на поверхности пластины поддерживается постоянной концентрацией N хотя при этом примесь поступает во внутрь кристалла процесс продолжается до тех пор пока переход не окажется на заданной глубине.Поскольку на поверхности кристалла может быть создано и выдержано большая концентр  то этот одностадийный процесс рекомендуется для областей н и п биполярных тр-ов(МДП) Чем больше времени происходит процесс лигирования,тем

2 случай.Это как бы 2-ая стадия 2-х стадийного процесса.В этом случае поверхность кристалла содержит определенное кол-во на единицу площади,процесссводится к перераспределению(разгонке) её погубине до тех пор пока р-н переход не углублится на заданную глубинуХн,т о N введенное предварительно поверхностнвый слой или доза лигирование Q сохраняется постоянно до конца разгонаПри отсутствие внешнего источника примеси разгонка происходит при непрерывном уменьшение примеси на поверхности.График изменения профиля распр примесей с течением времени Qостается постоянным 2-у стадийный процесс рекомендован для областей с умеренной концентацией примесей на поверхности,это базовые области биполярного тр-ра,изолирующие карманы в КМДП стр-ахТехнологу должны быть заданы параметры слоя-толщина и глубина и их исходные 2-ой процесс позволяет осущ контроль результатов после 1-ой стадии корректировать режим 2-ой стадии.

19 лигирование методом ионной имплантации

При ионной имплантации атомы лигирующих примесей реализируется в сильном электрическом поле,и облучение потоком ионы.Поверхность пластины с подгот за ранее оксидной маски Имея при подлете к поверхности одинаковую энергию,ионы многократно представл с ядрами и кулоновское вза-е с электронами атома кремния.Это приводит к постепенному торможению ионов вплоть до полной остановке.Путь прошедший ионов в кремний хар-ся длиннойср пробега,разнос отдельных пробегов,хар-ся среднеквадратичным отклонением ср,Q зависят от энергии ионов, и от эффективного диаметра атомов примесей.Чем >E и <Z тем большеср и Если направление ионного потока не совпадает с главным направлением в монокристалле,то распределение  Гаусса К режимам имплантации относятся:кратность ионизации атомов примесей(н-число единичных зарядов,который имеет ион ускоряющий напряжение и доза лигирования) При увеличение N до 2-3 уменьшается для достижения необход Е ускоряющ но увелич время,для достижения требуем дозы облучения кроме того для получения потока 2-3 зарядных ионов требуется повыш мощности подводимой к разрядной камере ,т о повышение n оправдано лишь в том случае если расститанное  Q ускорение при н=1 превышает возможность установке При энергии ион способен при столкновение с ядрами кремния вызывать массовое смещение атома между решетки.В результате нарушается стру-ра монокристалла большое кол-во примеси оказыв пассивным не способно создавать подвижн носит заряда,а активн часть примесей возвращается назад создается носители с низким подвижностью,поджигом поверхности слоя ,короткими порядка 1 ммс,мощные импульсы инфракрасным излучением