Микросхема КР537РУ10 является 8-битной совмещенной по входам/выходам данных БИС ОЗУ, с третьим состоянием выходов и с одиннадцатиразрядным адресом. Вход WR/RD, является входом записи/считывания. Вход CEO, является входом разрешения по выходу.
Модуль ОЗУ приведен на рис. 15. На вход WR/RD поступает сигнал C1 с контроллера системной шины. На адресные входы поступают разряды адреса А1-А11 с шины адреса. Вход CEO – заземлен. Так как память разделена на банки, то их подключение, не одинаковое. Нулевой банк связан с младшей половиной шины данных. Сигнал на вход СS нулевого банка формируется из сигналов A0, A14. Микросхема будет выбрана, если эти сигналы в состоянии низкого уровня. Кроме того, так как этот банк – энергонезависимый (см. п. 3.2), он подключается к аварийному источнику питания. Необходимо обеспечить, чтобы при аварийном отключении основного источника питания МПС, в микросхеме поддерживался режим хранения, что соответствует высокому уровню сигнала CS. Это обеспечивается установкой инвертора, подключенного к аварийному источнику питания. При выключении напряжения питания всех управляющих цепей на вход CS банка 0 ОЗУ подается положительный уровень с выхода инвертора, на входе которого в это время низкий уровень гарантирован за счет подключения резистора R4 ОМЛТ-0,125-10 кОм ±10% по рекомендации [3].
Первый банк связан со старшей половиной шины данных. Сигнал на вход СS нулевого банка формируется из сигналов BHE, A14. Микросхема будет выбрана, если все они в состоянии низкого уровня. Данный банк – не является энергонезависимым.
Так как шина данных процессора – 16-разрядная, разобьем память на 2 банка – для хранения младшего и старшего байтов соответственно.
Под ПЗУ для решения нашей задачи требуется 800 байт, поэтому под каждый банк используем микросхему ПЗУ КР1656РЕ4[4]. Ее информационная емкость равна 8 Кбайт. Таким образом общая емкость ПЗУ - 16 Кбайт.
Назначение выводов микросхемы указано в табл. 9.
Таблица 9
Выводы |
Обозначение |
Назначение |
1...8,18,19,21...23 |
A7...A0,A12,A11,A10...A8 |
Адресные входы |
9...11,13...17 |
DO0...DO7 |
Выход данных |
20 |
CS |
Выбор микросхемы |
24 |
UCC |
Напряжение питания |
12 |
GND |
Общий |
Рис. 15. Функциональная схема модуля ОЗУ. |
Эта микросхема обеспечивает запас для возможных изменений алгоритмов управления, при которых требуемая емкость увеличивается в 10-15 раз.
Электрические и динамические параметры для микросхемы КР1656РЕ4 приведены в табл. 10.
Таблица 10
Параметры |
Значения параметров |
|
Мин. |
Макс. |
|
Напряжение питания, UCC , В |
4,5 |
5,5 |
Ток потребления, ICC , мА |
- |
185 |
Входной ток низкого уровня, IIL , мА |
- |
0,25 |
Входной ток высокого уровня, IIH , мкА |
- |
40 |
Выходной ток низкого уровня, IOL , мА |
- |
15 |
Выходной ток высокого уровня, IOH , мА |
- |
2 |
Выходной ток утечки в режиме хранения, ILO , мкА |
- |
100 |
Время выборки адреса, tA(A), нс |
- |
55 |
Время выбора, tCS, нс |
- |
40 |
Время запрещения выходных данных после сигнала CS, tDIS(CS), нс |
- |
40 |
Входная емкость, CI, пФ |
- |
10 |
Выходная емкость, CO, пФ |
- |
15 |
Емкость нагрузки, CL, пФ |
- |
30 |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.