8. Что такое внутренний фотоэффект?
9. Необходим ли источник внешнего напряжения для возникновения фототока через фоторезистор?
10. Зависит ли чувствительность фоторезистора от длины волны падающего света?
11.Что такое экситон?
12. Какой электрический заряд имеет экситон?
13. Изменяется ли ширина запрещённой зоны полупроводника при воздействии на него внешнего сжимающего давления?
14.Изменяется ли форма запрещённой зоны полупроводника при прохождении по нему продольной упругой волны?
15. Что такое акустоэлектрический эффект в полупроводнике?
16. Что такое акустоэлектрическое напряжение?
17. При каких соотношениях скоростей дрейфа электронов (vдр) и скорости звуковой волны (vзв) в кристалле полупроводника может возникнуть усиление звуковой волны?
18. При каких соотношениях скоростей дрейфа электронов (vдр) и скорости звуковой волны (vзв) в кристалле полупроводника может возникнуть поглощение звуковой волны?
19. Для построения каких устройств наиболее эффективно использовать поверхностные акустические волны (ПАВ), возбуждаемые в полупроводнике?
7. Перечень типовых вопросов для итогового контроля (экзамен)
1. Образование упорядоченной структуры твёрдых тел. Кристаллическая решётка.
2. Трансляционные решётки Бравэ.
3. Простые и сложные решётки. Решётки с базисом.
4. Индексы узлов, направлений и плоскостей в кристалле.
5. Классификация кристаллов по типам связи.
6. Ионные кристаллы.
7. Атомные кристаллы.
8. Металлические и молекулярные кристаллы.
9. Точечные дефекты в кристаллах по Френкелю и Шоттки.
10. Краевые дислокации.
11. Винтовые дислокации.
12. Энергетические уровни электрона в изолированном атоме. Уравнение Шредингера.
13. Обобществление электронов в кристалле. Образование энергетических зон.
14. Разделение твёрдых тел по характеру заполнения энергетических зон. Условие электропроводности твёрдых тел.
15. Собственные полупроводники. Понятие о дырках.
16. Локальные уровни в запрещённой зоне. Донорные полупроводники.
17. Локальные уровни в запрещённой зоне. Акцепторные полупроводники.
18. Функция Ферми-Дирака и функция плотности состояний.
19. Концентрация электронов и дырок в полупроводниках. Условие невырожденности электронного газа.
20. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей в собственных полупроводниках.
21. Статистика электронов в примесных полупроводниках. Донорные полупроводники.
22. Статистика дырок в примесных полупроводниках. Акцепторные полупроводники.
23. Закон действующих масс.
24. Сильно легированные полупроводники.
25. Компенсированные полупроводники.
26. Дрейф свободных носителей заряда в электрическом поле.
27. Методы получения p-n переходов, разновидности переходов.
28. Равновесное состояние p-n перехода.
29. Барьерная ёмкость p-n перехода.
30. Прямое включение p-n перехода.
31. Обратное включение p-n перехода.
32. Вольтамперная характеристика p-n перехода.
33. Импульсные свойства p-n перехода.
34. Лавинный и тепловой пробои p-n перехода.
35. Туннельный и тепловой пробои p-n перехода.
36. Стабилитроны – характеристики, параметры, разновидности.
37. Туннельные диоды.
38. Обращённые диоды и варикапы.
39. Контакт металл-полупроводник. Переходы Шоттки.
40. Поглощение света полупроводниками.
41. Излучение света полупроводниками.
42. Светоизлучающие диоды.
43. Полупроводниковые лазеры.
44. Фотополупроводниковые приборы.
45. Лавинно-пролётные диоды.
46. Диоды Ганна.
47. Принцип работы биполярного транзистора.
48. Разновидности транзисторов.
49. Схемы включения транзисторов.
50. Статические характеристики и параметры транзисторов.
51. Режимы работы транзисторов.
52. Последовательное соединение полупроводниковых диодов.
53. Параллельное соединение полупроводниковых диодов.
54. Полевые транзисторы с управляющим p – n переходом.
55. Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.