Основные физические понятиями и процессы, протекающие в современных элементах электронной техники – активных полупроводниковых и электронных приборах, страница 2

4. Переходы в полупроводниках. Зонные диаграммы контакта полупроводник-полупроводник (электронно-дырочный переход). Диффузионный и дрейфовый токи в переходе. Математическая модель идеализированного перехода. Инерционные свойства перехода. Барьерная и диффузионная ёмкости. Физические процессы в переходах полупроводников с различной шириной запрещённой зоны (гетеропереходы). Переход металл-полупроводник (работа выхода, термоэлектронная эмиссия, контактная разность потенциалов). Прямое и обратное включение переходов, пробой переходов. Вольт-амперные характеристики переходов. Импульсные и высокочастотные свойства переходов. Многопереходные структуры – транзисторы и тиристоры. Приборы с S – образной характеристикой.

5. Физические явления  в полупроводниках.

Фотоэлектрические  явления  в  полупроводниках  и  переходах. Фотопроводимость и фотогальванический эффект. Излучение света полупроводниками.  Акустоэлектронные явления. Эффект Ганна. Термоэлектрические явления (эффект Пельтье и Зеебека). Гальваномагнитный эффект Холла.

6.Физические  явления  в  ваккууме  и  газах..   Эмиссия  электронов, виды эмиссии, термоэлектронная эмиссия. Распределение потенциалов в плоском диоде. Закон степени трёх вторых. Физические процессы в трёхэлектродной лампе, распределение катодного тока, действующие напряжения и закон степени трёх вторых. Физические процессы в многоэлектродных лампах. Электрический разряд в газах. Тлеющий разряд.

5.3  Содержание практических занятий

№ пп	Номер раздела	Наименование практического занятия
1 2	2 2	Кристаллические решётки Бравэ. определение индексов узлов, направлений и плоскостей. Проводящие и диэлектрические материалы.  резисторы и конденсаторы – обозначение, графическое обозначение, характеристики и параметры.
3	4	Полупроводниковые диоды – обозначение, графическое обозначенние, характеристики и параметры.
4	4	Транзисторы – обозначение, характеристики и параметры.
5	4	Интегральные микросхемы – условные графические обозначения, характеристики и параметры.
6	6	Электронные приборы – обозначения, характеристики, параметры.
7	5	Характеристики и параметры свето- и фотополупроводниковых приборов.
8	5	Характеристики и параметры магнито- и термополупроводниковых приборов.

6. Учебно-методическое обеспечение дисциплины

6.1 Рекомендуемая литература

6.1.1.Основная

Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твердотельная электроника, учебник для

ВУЗов, М.,   Высшая школа,  1986.

Морозова И.Г.  Физика электронных приборов, М., 1980.

Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы

(учебник для ВУЗов), М., Энергоатомиздат, 1990.

Батушев В.А. Электронные приборы, М.,  Высшая школа, 1980.

Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов,

М., Радио и связь, 1990.

6.1.2.Дополнительная и справочная

Пасынков В.В., Чиркин Л.К., Шинков А.Д. Полупроводниковые приборы,М.,   Высшая школа, 1981.

С. Зи Физика полупроводниковых приборов, М., Мир, 1984.

Андрушко Л.М., Фёдоров Н.Д. Электронные и квантовые приборы

СВЧ,М., Радио и связь, 1981.

Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы, М., Высшая школа,   1979.

6.  Перечень вопросов для текущего контроля (тестовый контроль)

                              Основы физики твёрдого тела.

1.  На каких расстояниях возникают силы притяжения (fпр) между атомами и молекулами?

2.  На каких расстояниях возникают силы отталкивания (fот) между атомами и молекулами?

3.  Какое значение принимает энергия взаимодействия между атомами и молекулами в равновесном состоянии, когда равны силы притяжения и отталкивания между ними?

4.  Какое соотношение между силами отталкивания и притяжения  должно выполняться для возникновения кристаллической структуры?