Основные физические понятиями и процессы, протекающие в современных элементах электронной техники – активных полупроводниковых и электронных приборах

Страницы работы

Содержание работы

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ РФ

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дальневосточный государственный технический университет (ДВПИ им. В.Куйбышева)»

Одобрено                                                                                                   Утверждаю

МК_________________                                                                       Директор ЦИСО

____________________                                                                  _____________( )

Р А Б О Ч А Я    У Ч Е Н А Я    П Р О Г Р А М М А

Учебная дисциплина  - Физические основы электроники

Образовательная программа

210405 – Радиосвязь, радиовещание м телевидение

(очно-заочная форма обучения)

Рабочая программа утверждена на заседании кафедры РТС, протокол № ____

от «_____»______________2008г.

Зав. кафедрой РТС .

________________

Программа составлена доцентом

____________

Владивосток 2008

При разработке рабочей учебной программы использованы:

Государственный образовательный стандарт высшего профессионального образования образовательной программы, утвержденный «______»  ________________ 200___ г, № __________, рабочий учебный план учебный план, утвержденный «______»  ________________ 200___ г.

Выдержка требований к дисциплине из государственного образовательного стандарта.

1.  Цели и задачи дисциплины.

Целью изучения дисциплины “Физические основы электроники” является знакомство студентов с основными физическими понятиями и процессами,  протекающими в современных элементах электронной техники – активных полупроводниковых  и электронных приборах, всякого рода преобразователях и пассивных элементах. В результате студенты должны знать чем определяются, от чего зависят и в каких пределах  могут изменяться параметры и характеристики элементной базы современных устройств электронной техники.

2.  Начальные требования к освоению дисциплины:  для изучения данной дисциплины студент должен быть знаком с основами физики твёрдого тела, электростатики и электромагнетизма, основными разделами высшей математики (интегральное и дифференциальное исчисление).

3.  Требования к уровню освоения содержания дисциплины: по окончании изучения курса студенты должны понимать сущность физических процессов, протекающих в элементах электронной техники, знать влияние на эти процессы температуры, электрических и магнитных полей, других внешних факторов, знать от чего зависят параметры и характеристики активных и пассивных элементов, уметь правильно выбрать условия работы электронной аппаратуры. 

4.  Объем дисциплины и виды учебной работы.

вид учебной работы

Всего часов

Общая трудоемкость дисциплины

108

Лекции

18

Лабораторные занятия

-

Практические занятия (семинары)

18

Всего самостоятельная работа

72

В том числе курсовая работа

-

Вид итогового контроля

экз

5.  Содержание дисциплины

5.1 Распределение учебного материала по видам занятий

№ п/п

Наименование раздела дисциплины

Распределение по видам (час)

1

2

Лекции

Пз

Срс

1

2

3

4

5

6

Введение.

Элементная база современнной электроники,

Основы физики твёрдого тела.

Основы зонной теории твёрдых тел.

Переходы в полупроводниках.

Физические явления  в полупроводниках.

Физические  явления  в  ваккууме  и  газах.  

2

2

2

4

6

2

2

2

2

6

4

2

4

6

4

20

30

8

5.2 Содержание лекционного курса

1. Введение.

Элементная база современнной электроники, предшествующие поколения электронных элементов, цели и задачи курса “Физические основы электроники”

2. Основы физики твёрдого тела. Кристаллическая решётка, решетка Бравэ, решётка с базисом, индексы Миллера. Ионные, ковалентные металлические и молекулярные кристаллы. Точечные дефекты, краевые и винтовые дислокации, поверхностные дефекты.

3. Основы зонной теории твёрдых тел. Энергетические уровни электрона в изолированном атоме. Обобществление электронов в кристалле. Движение электрона в кристалле под действием внешней силы. Деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники. Собственные полупроводники, понятие о дырках. Локальные уровни  в запрещённой зоне. Зонные диаграммы. Генерация и рекомбинация носителей зарядов. Равновесные концентрации носителей заряда. Статистика электронов и дырок в полупроводниках, в примесных полупроводниках, статистика электронов в металлах. Подвижность свободных носителей заряда. Электропроводность полупроводников и металлов. Явление сверхпроводимости.

Похожие материалы

Информация о работе