18. Где находится уровень Ферми донорного полупроводника при температуре перехода к собственной проводимости?
19. Где находится уровень Ферми донорного полупроводника при температуре истощения примеси?
35. Где находится уровень Ферми акцкпторного полупроводника при температуре перехода к собственной проводимости?
20. Где находится уровень Ферми акцепторного полупроводника при температуре истощения примеси?
21. От чего зависит произведение концентраций дырок и электронов в легированном полупроводнике?
22. Что происходит с примесным уровнем в сильно легированном полупроводнике?
23. Что такое компенсированные полупроводники?
24. У какого полупроводника – с широкой запрещённой зоной (Si) или узкой запрещённой зоной (Gе) больше проводимость?
25. У какого полупроводника – слабо легированного или сильно легированного – больше зависимость проводимости от температуры?
Переходы в полупроводниках.
1. Чем образуется неподвижный объёмный заряд при контакте металл – полупроводник?
2. Где образуется обеднённый слой при контакте металл – полупроводник?
3. От чего увеличивается толщина обеднённого слоя в контакте металл – полупроводник?
4. Когда образуется обогащённый слой при контакте металл – n - полупроводник?
5. Когда образуется обогащённый слой при контакте металл – p - полупроводник?
6. Как образуется обратное включение перехода металл – полупроводник?
7. Как образуется прямое включение перехода металл – полупроводник?
8. Как направлено внешнее поле при обратном включении контакта металл – полупроводник?
9. Как направлено внешнее поле при прямом включении контакта металл – полупроводник?
10. Какой переход образуется при диффузионном методе получения p – n перехода?
11. Какой переход образуется при эпитаксильном методе получения p – n перехода?
12. Чем образуется объёмный заряд в n – области при равновесном состоянии p – n перехода?
13. Чем образуется объёмный заряд в p – области при равновесном состоянии p – n перехода?
14. Куда направленно поле контактной разности потенциалов при равновесном состоянии p – n перехода?
15. В какой области полупроводника больше глубина проникновения контактного поля при равновесном состоянии p – n перехода?
16. Как соотносятся сопротивления области перехода и дальних от него областей полупроводника при равновесном состоянии p – n перехода?
17. От чего уменьшается толщина обеднённого слоя в контакте металл – полупроводник?
18. В какой области полупроводника локализовано электрическое поле с контактной разностью потенциалов при равновесном состоянии p – n перехода?
19. Как направлены дрейфовый и диффузионный токи при равновесном состоянии p – n перехода?
20. Чем создаётся диффузионный ток при образовании равновесного состояния p – n перехода?
21.Чем создаётся дрейфовый ток при образовании равновесного состояния p – n перехода?
22. Каким сопротивлением обладает омический контакт?
15. Какая область создаётся на границе металл – полупроводник в местах присоединения диода к внешней цепи?
16. Какое включение p – n перехода считается прямым?
17. Какое включение p – n перехода считается обратным?
18. Что влияет на величину барьерной (зарядовой) ёмкости?
19. Какое явление происходит в p – n переходе под действием прямого смещения?
20. Какое явление происходит в p – n переходе под действием обратного смещения?
21. Чем обусловлена диффузионная ёмкость p – n перехода?
22. Как можно уменьшить диффузионную ёмкость p – n перехода?
23. Имеется ли диффузионная ёмкость в переходах металл – полупроводник?
24. При каком включении выпрямительный диод имеет наибольшее сопротивление?
25. Какие диоды можно использовать для построения генератора?
26. Какой режим используется для работы низковольтного стабилитрона?
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.