L--------------------------- Для современных высокопроизводительных систем, реализованных на микропроцессорах типа I80386 с тактовой частотой до 33 МГц, наиболее актуален вопрос повышения быстродействия оперативной памяти. Этот вопрос решается с помощью применения кэш-памяти, реализованной на статических ЗУПВ с временем выборки до 25 нс. При этом можно выполнять команды обращения к памяти без тактов ожидания, если выбираемый адрес находится в кэш-памяти. При смене адреса сегмента обращения к памяти содержимое кэш-памяти автоматически обновляется данными из обновленного сегмента динамической памяти. Управление загрузкой и работой кэш-памяти осуществляет контроллер кэш-памяти. Фирмой Intel
разработан контроллер I80385, который применяется в системах, реализованных на микропроцессоре типа I80386. Существуют и другие контроллеры, реализованные в комплектах для микропроцессоров I80286,
I80386, I80386SX, I80486.
Oбьем кэш-памяти колеблется в различных системах от 32 К байт до 128 К байт.
Наибольшее распостранение в настоящее время получили статические
ЗУПВ емкостью 256 К бит с тремя основными архитектурами - 256 К*1, 64 К*4
и 32 К*8. Характеристики статических ЗУПВ емкостью 256 К бит приведены в табл. 4.10.
Табл. 4.10. Статические ЗУПВ емкостью 256 К бит
----------------------------T------T----------T--------T--------------------¬
¦ ¦Время ¦Рассеивае-¦ ¦ ¦
¦ Фирма. ¦выбор-¦мая мощ- ¦ Тип ¦ Специальные ¦
¦ Модификация ¦ ки ¦ность при ¦корпуса ¦ функциональные ¦
¦ ¦min/ ¦обращении/¦ ¦ возможности ¦
¦ ¦max ¦хранении ¦ ¦ ¦
¦ ¦ (нс) ¦ (мВт) ¦ ¦ ¦
+---------------------------+------+----------+--------+--------------------+
¦ ¦
¦ Организация 256 К*1 бит ¦
¦ ¦
¦Cypress Semiconductor Corp.¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦CY7C197 ¦25/45 ¦ 350/100 ¦1, 3, 4,¦Cнижение мощности ¦
¦Electronic Designs Inc. ¦ ¦ ¦5 ¦по входу CS ¦
¦ED181256 ¦25/55 ¦ 1000 ¦1, 14 ¦ ¦
¦ ¦
¦ Организация 64 К*4 бит ¦
¦ ¦
¦ ¦
¦Cypress Semiconductor Corp.¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦CY71C191 ¦25/45 ¦ 450/100 ¦ 11, 13,¦Раздельный ВВ и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ 14, 15 ¦прозрачная запись ¦
¦CY7C192 ¦25/45 ¦ 450/100 ¦ 11, 13,¦Раздельный ВВ и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ 14, 15 ¦высокий импеданс ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦выходов при записи ¦
¦VLSI Technology Inc. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦VT6208 ¦35/45 ¦ 300/0,1 ¦ ¦Автоматическое сни- ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦жение мощности, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦батарейное ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦резервирование ¦
L---------------------------+------+----------+--------+--------------------Примечание:
ВВ - Вход-Выход,
1 - 24-контактный двухрядный корпус,
2 - 24-контактный малогабаритный корпус с J-образными выводами,
3 - 24-контактный керамический двухрядный корпус,
4 - 24-контактный плоский корпус с выводами,
5 - 24-контактный носитель кристаллов без выводов,
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.