Системная память PC AT. Организация оперативной памяти компьютера. Кодирование обращений к памяти. Адресация байтов в 16-разрядной памяти, страница 16

¦MB81C4257       ¦70/120 ¦140/210¦375/10    ¦8, 11,  ¦Слоговый режим,  ¦

¦                ¦       ¦       ¦          ¦12, 19  ¦60/70 нс         ¦

¦                ¦       ¦       ¦          ¦        ¦                 ¦

¦                                                                      ¦

¦                        Организация                                   ¦

¦                        128 К*9 бит                                   ¦

¦                                                                      ¦

¦Sharp Electro-  ¦       ¦       ¦          ¦        ¦                 ¦

¦nics Corp.      ¦       ¦       ¦          ¦        ¦                 ¦

¦LH69128         ¦70/90  ¦100/130¦500/15    ¦23      ¦Статический      ¦

¦                ¦       ¦       ¦          ¦        ¦столбцовый режим,¦

¦                ¦       ¦       ¦          ¦        ¦35/45 нс         ¦

L----------------+-------+-------+----------+--------+-----------------Примечание:

1 - 16-контактный двухрядный корпус,

2 - 18-контактный пластмассовый носитель кристаллов без выводов,

3 - 18-контактный пластмассовый корпус с зигзагообразным расположением выводов,

4 - 18-контактный малогабаритный корпус с J-образными выводами,

5 - 18-контактный плоский корпус,

6 - 18-контактный двухрядный корпус,

7 - 18-контактный носитель кристаллов бе з выводов,

8 - 20-контактный корпус с зигзагообразн ым расположением выводов,

9 - 20-контактный плоский корпус без выв одов,

10 - 20-контактный носитель кристаллов бе з выводов,

11 - 20-контактный керамический двухрядны й корпус,

12 - 20-контактный двухрядный корпус,

13 - 20-контактный керамический малогабар итный корпус с J-образными выводами,

14 - 20-контактный малогабаритный корпус  с J-образными выводами

(7,62 мм),

14а - 20-контактный малогабаритный корпус  с J-образными выводами

(8,89 мм),

15 - 20-контактный пластмассовый малогаба ритный корпус с J-образными выводами,

16 - 24-контактный двухрядный корпус (10, 16 мм),

17 - 24-контактный корпус с зигзагообразн ым расположением выводов

(10,16 мм),

18 - 24-контактный малогабаритный корпус  с J-образными выводами

(7,62 мм),

19 - 26-контактный пластмассовый носитель  кристаллов без выводов,

20 - 26-контактный малогабаритный корпус  с J-образными выводами

(7,62 мм),

21 - 26-контактный корпус с зигзагообразн ым расположением выводов,

22 - 28-контактный малогабаритный корпус  с J-образными выводами

(10,16 мм),

23 - 28-контактный двухрядный корпус.

------------------------¬

¦ Розетки для установки ¦

¦ микросхем  DRAM       ¦

L------------------------  Микросхемы  DR AM устанавливаются на процессорной плате в розетки. Это обеспечи вает возможность наращивания обьема памяти процессора и  измен ение конфигурации системы по требованию заказчика.

Для установки DRAM 64 К*1 и 256 К*1 исполь зуют 16-контактную розетку, для 1 М*1 - 18-контактную, а для 256 К*4 - 20 -контактную.  Для установки DRAM 64 К*1, 256 К*1 и 1 М*1 используют совмещенную розетку, которая изображена на рис. 4.20. Схема установки DRAM в совмещенную розетку изображена на рис. 4.21.

Увеличение обьема памяти при использовании данного вида розеток осуществляется путем замены DRAM 256 К*1 на 1 М*1.

При использовании микросхем DRAM 256 К*4 других замен не предусматривается, а увеличение обьема памяти осуществляется путем установки дополнительных микросхем DRAM, если для этого предусмотрены розетки на плате процессора.

--------------------¬

¦ Модули SIMM и SIP ¦

L--------------------Развитие индустрии PC требовало увеличения обьема используемой памяти при уменьшении площади, занимаемой непосредственно микросхемами DRAM, что и привело к появлению Single in-line memory module (SIMM-модуль) и

Single in-line package (SIP-модуль). Конструктивно модули SIMM и SIP выполнены на отдельной плате с размерами

90*22 мм (рис. 4.22) и подключаются к плате процессора через однорядную 30-контактную розетку. Накопитель в SIMM-модуле строится на микросхемах DRAM в обычном исполнении, а в SIP-модулях на микросборках DRAM. Имеется несколько модификаций SIMM- и SIPмодулей по обьему ОЗУ. Это 256 К*9, 1 М*9 и 4 М*9.