и фиксируются в микросхеме стробом адреса строки RAS. Оставшиеся разряды адреса подаются через линию А0-А9 и фиксируются в микросхеме стробом адреса столбца CAS. Сигнал разрешения записи WE показывает выполняемую операцию считывания или записи. Записываемый разряд берется с линии DIN, а считываемый появляется на выходе DOUT.
Внутренняя структура микросхемы DRAM представлена на рис. 4.17.
Запоминающие элементы организованы в матрицу. Адрес строки выбирает строку этой матрицы, а адрес столбца выбирает столбец. Кроме того, в микросхеме есть защелки для хранения адреса строки и адреса столбца, а также защелка для хранения содержимого целой строки.
Цикл памяти начинается по активному сигналу -RAS. Сигнал -RAS
стробирует адрес строки в защелку адреса строки. Адрес строки дешифруется и выбирает одну из линий слов. Все запоминающие элементы строки опрашиваются одновременно по линиям разрядов строки и фиксируются в защелке строки. Опрос элементов строки разрушает их содержимое, поэтому микросхема восстанавливает элементы строки из защелки одновременно с выдачей информации в систему. Это время называется временем перезаряда строки ( Тпстр). Следующее обращение к памяти может начинаться только после перезаряда строки.
-CAS --------¬ ---------Ў DOUT
-----------Ў¦STB ¦ ¦
¦ ¦ Адрес столбца -----------+-----------¬
¦Защелка¦---------------Ў¦ МХ ¦
---Ў¦ адреса¦ L-----------------T----¦ ¦столбца¦ ° ° ° ° ° ° ° ° DIN
¦ L-------- -RAS -----Ў--T-T-T-T-- ---T-T-T-T-¬ў--A0-A8 ¦ L-+-+-+-+-- ---+-+-+-+-- Защелка
--------+ ----¬ ° ° ° ° ° ° ° ° строки
¦ ¦ ¦--- ---+-+-+-+--- ----+-+-+-+-¦ ¦ ¦--- ---+-+-+-+--- ----+-+-+-+-¦ --------¬ ¦ ¦=========0=0=0=0=== ====0=X=0=0==>
L--Ў¦Защелка¦ ¦DC ¦--- ---+-+-+-+--- ----+-+-+-+-¦ адреса+--Ў¦ ¦
¦ строки¦ ¦ ¦--- ---+-+-+-+--- ----+-+-+-+--RAS ¦ ¦ ¦ ¦--- ---+-+-+-+--- ----+-+-+-+------------Ў¦STB ¦ ¦ ¦--- ---+-+-+-+--- ----+-+-+-+-L-------- ¦ ¦--- ---+-+-+-+--- ----+-+-+-+-¦ ¦--- ---+-+-+-+--- ----+-+-+-+-L---Линии разрядов строки
Рис. 4.17. Внутренняя структура микросхемы DRAM
Одновременно с этим сигнал -CAS стробирует адрес столбца в его защелку. Затем адрес столбца дешифруется и выбирает один разряд зафиксированной строки, который появляется на выходе DOUT. Цикл памяти завершается, когда сигнал -RAS становится пассивным. После этого начинается временной интервал для перезаряда.
Если сигнал WE в середине цикла памяти изменяется с пассивного на активный (т.е. со считывания на запись), входной разряд DIN заменит адресованный разряд в защелке строки. Этот новый разряд заменит также прежний разряд в матрице, когда ее строка восстанавливается из защелки строки. Такой цикл называется циклом считывания/модификации/записи.
Регенерация DRAM обеспечивается за счет активизации сигнала -RAS
при пасивном сигнале -CAS и отсуствии сигнала WE. Регенерация адресуемых строк осуществляется без изменения их содержимого и без выдачи выходного сигнала. Следовательно, для устранения потери данных потребуется столько операций памяти, сколько строк в матрице накопителя.
----------------------¬
¦ Временные параметры ¦
¦ DRAM ¦
L---------------------- На рис. 4.18 приведены временные диаграммы работы микросхем DRAM. В табл. 4.3-4.5 указаны основные динамические параметры микросхем DRAM различной емкости.
¦ Чтение ¦ Запись ¦
¦----------------------------¦----------------------------¦
_______ ______ _______ ______
A0-A8 ___/ \/ \____________/ \/ \______________
\_______/\______/ \_______/\______/
¦ ¦ ¦ t15
¦ ¦ў--------------------------Ў+
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.