5.2.Расчёт выходного каскада второго канала.
Расчёт выходного каскада первого канала ведётся аналогично расчёту выходного каскада второго канала. В качестве активного элемента используется тот же транзистор КТ827А, так как рабочая частота и выходная мощность остаются теми же. Параметры эквивалентной схемы рассчитываются аналогично. Поскольку в этом канале отсутствует модуляция сигнала, то нет необходимости обеспечивать недонапряжённый режим с некоторым запасом.
Выходной каскад целесообразно проектировать при полном использовании транзистора по напряжению для получения более высоких значений к.п.д. и коэффициента усиления по мощности. Расчёт ведется для одного плеча схемы, второе плечо рассчитывается аналогично.
Расчёт коллекторной цепи.
1. Амплитуда первой гармоники коллекторного напряжения в критическом режиме (Uкэ доп»Uкэmax )
В.
При полном использовании транзистора по напряжению определяют напряжение источника питания
В.
Выбираем Ек=50 В.
3. Амплитуда первой гармоники коллекторного тока
А.
4. Постоянная составляющая коллекторного тока
А.
5. Максимальный коллекторный ток.
А<.
6. Максимальная мощность, потребляемая от источника питания
Вт.
7. К.п.д. коллекторной цепи при номинальной нагрузке
.
8. Максимальная рассеиваемая мощность на коллекторе транзистора
Вт.
9. Номинальное сопротивление коллекторой нагрузки для транзистора в одном плече
Ом.
Расчёт входной цепи.
10. Амплитуда тока базы
где
А.
12. Дополнительное сопротивление между выводами базы и эмиттера транзистора, включаемое для устранения „ перекоса ” в импульсах коллекторного тока (рис.14)
кОм.
13. Максимальная величина обратного напряжения на эмиттерном переходе
Так как напряжение Uбэmax превышает допустимое, необходимо уменьшить сопротивление Rд до величины (*)
Ом.
Стандартное значение Rд=360 Ом. Тогда
Однако при этом параллельно сопротивлению Rд необходимо включить дополнительную ёмкость Сд (для выполнения равенства постоянных времени открытого и закрытого эмиттерного перехода tзак=tотк).
нФ.
Стандартное значение: Сд=120 пФ.
14. Постоянные составляющие базового и эмиттерного токов
15. Напряжение смещения на эмиттерном переходе
(*)
16. Значения Lвхоэ, rвхоэ, Rвхоэ и Свхоэ в эквивалентной схеме входного сопротивления транзистора (рис.15)
нФ.
17. Резистивная и реактивная составляющие входного сопротивления транзистора Zвх=rвх+i×Xвх
Ом;
Ом.
18. Входная мощность
Вт.
19. Коэффициент усиления по мощности транзистора с проверкой на устойчивость
;
Расчёт цепей смещения и питания.
В маломощных выходных каскадах при работе транзисторов с отсечкой тока (q<180°) напряжение смещения оказывается близким к нулю или запирающим. Необходимое запирающее смещение обычно создаётся с помощью автосмещения от постоянной составляющей тока базы Iб0 на сопротивлении R2 в цепи базы (рис.--).
Рис.--. Схема цепи питания при работе транзистора с отсечкой в схеме с ОЭ.
Обычно дроссель Lбл1 исключают, допуская некоторое шунтирование транзистора по входу сопротивлением автосмещения. В этом случае в схеме на рис.-- сопротивление R2 по радиочастоте может выполнять роль дополнительного корректирующего сопротивления Rд, и если оно выбирается согласно (*), то угол отсечки тока коллектора будет близок к 90°. Тогда в схеме (рис.--) исключаются конденсатор Ср1 и блокировочный дроссель Lбл1, и сопротивления Rд и R2 заменяются одним.
Величины остальных элементов можно найти, используя следующие соотношения:
Гн.
Ф.
Стандартное значение: Сбл=13 нФ.
Окончательный вариант схемы выходного каскада второго канала показан на рис.--.
Рис.17. Схема электрическая принципиальная выходного
каскада первого канала.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.