Механизмы защелкивания представляют собой отверстие на одной из петель, и палец, на другой, который под действием пружины входит в это отверстие.
Таблица 1.1 – Исходные данные.
Мощность БФ , (Вт) |
2700 |
Длина фотоэлемента , (м) |
10 |
Ширина фотоэлемента , (м) |
20 |
Напряжение в фотоэлементе ,(В) |
0,7 |
Сила тока в фотоэлементе , (А) |
0,052 |
Мощность фотоэлемента , (Вт) |
0,036 |
КПД фотоэлемента ,(%) |
13,8 |
Количество параллельно соединенных элементов в модуле |
10 |
Количество последовательно соединенных элементов в модуле |
10 |
Количество параллельно соединенных модулей в панели |
13 |
Количество последовательно соединенных модулей в панели |
15 |
В первом приближении площадь фотоэлектрической батареи определяется из известных значений удельной мощности фотоэлектрической батареи различного типа по выражению:
. |
(1.1) |
где - удельная мощность фотоэлектрической батареи из кремниевых преобразователей (принимаем (Вт/м2) из условий стандартного уровня освещенности и рабочей температуры фотоэлектрической батареи в солнечном внеатмосферном спектре (E0=1360 Вт/м2)).
()
(м) – приближенная площадь фотоэлектрической батареи.
БФ состоит из двух крыльев, имеющих по две панели.
Площадь панели равна:
. |
(1.2) |
–коэффициент заполнения фотоэлементов в панели.
(м)
Тогда площадь БФ (м).
Длина панели рассчитывается по формуле:
. |
(1.3) |
(м)
Тогда ширина панели равна:
. |
(1.4) |
(м)
Рис 1.1 – расположение ФЭ на панели. |
1 Фотоэлектрический преобразователь ФЭП;
2. Боросиликатное стекло К-208 –1;
3. Изолирующий слой –2;
4. Клеевой состав из синтетического каучука низкотемпературной полимеризации СКТНФ –3;
5. Клей ВК-41ТУ-1-596-67-79 –4;
6. Сотовый заполнитель из алюминиевой фольги АМГ2 –5;
7. Стеклопластиковая подложка.
Масса панели СБ будет складываться из массы фотоэлектрических преобразователей, размещенных по панели, массы сотовой панели и массы петель. Массу проводов, блока диодов и других мелких элементов учтем коэффициентом запаса.
Мсек = (Мфэп + Мсот + Мпет) кз
Расчет массы ФЭ в панеле
ФЭ (рис 1.2) состоит из полупроводника, кремниевого типа, который имеет р-проводимость, n-проводимость в кремнии обеспечивают насыщением базы фосфором, на освещенной стороне, которая имеет n-проводимость, наносят контактную сетку с серебра и защищают стеклянной пластиной, на тыльную сторону наносят цельный контакт.
Рис 1.2 – строение ФЕПа. |
1. Просветляющее и терморегулирующее покрытие.
2. Стеклянная пластина.
3. Контактная сетка.
4. Полупроводник n-типа.
5. Полупроводник p-типа.
6. Контакт.
Таблица 1.2 Параметры ФЭПа.
Длина фотоэлемента , м |
10 |
Ширина фотоэлемента , м |
20 |
Плотность кремния , кг/м3 |
2,3 |
Толщина слоя кремния ,м |
2 |
Плотность стекла , кг/м3 |
2,5 |
Толщина защитного стекла ,м |
2 |
Плотность серебра, кг/м3 |
10,5 |
Ширина собирающего контакта , м |
2 |
Толщина контактов ,м |
5 |
Количество контактов в сетке |
10 |
Масса ФЭ находится по формуле:
(1.5) |
Масса фотоэлементов на панели рассчитывается по формуле:
(1.6) |
кг.
Конфигурация сот – не усиленные шестигранные, которые необходимо изготавливать методом растяжения
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.